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参数、结构、原理、应用电路 场效应管符号


参数、结构、原理、应用电路 场效应管符号

文章插图
FET符号(参数、结构、原理、应用信息资源网络电路)
场效应晶体管简介场效应晶体管简称FET，或简称FET 。
场效应晶体管是一种半导体放大器，它不仅具有晶体管体积小、省电耐用的优点，还具有输入阻抗高(10的8-9欧姆)、噪声低、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐射能力强、易于集成、无二次信息资源网络穿透、安全工作区广等优点 。
FET的缺点是容易被静电高压击穿 。
场效应晶体管和晶体管的区别晶体管的载流子是空空穴和电子，所以晶体管也叫双极晶体管 。
FET载流子只有空空穴或只有电子，所以也叫单极晶体管 。
晶体管是电流控制器件，而场效应晶体管是电压控制器件 。
场效应晶体管的类型场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 。
见下文

结型FET利用沟道两侧耗尽层的宽度来改变沟道电导率，从而控制漏极电流 。
栅极FET通过使用感应电荷量改变沟道传导特性来控制漏极电流 。
场效应晶体管物理图【参数、结构、原理、应用电路 场效应管符号】p沟道结型场效应晶体管
n沟道结型场效应晶体管




场效应晶体管的电路符号
电路符号表示FET的类型，主要包括极性、材质、类型、规格号等 。
场效应管的电路图形符号可以表明它的种类 。

场效应管电路图形符号的理解和记忆方法

场效应晶体管的结构下图是N沟道结型FET的结构和工作原理示意图 。大家可以看到，它用的是N型半导体，上下引出一个电机，分别叫漏极D和源极S 。在N型半导体的两侧，设置一小片P型半导体，它们作为栅极G连接起来，使G、S、G、D之间分别出现一个PN结 。
三种DC偏压分析如下:
通过上面的分析，通过改变G和S之间的反向偏置电压，可以改变流过沟道的电流，换句话说，栅极电压可以控制漏极电流 。
这说明FET是一种电压控制器件 。
下图是N沟道绝缘栅FET的示意图 。在两个N型区域之间形成N型硅薄层，从而形成N型沟道 。在N沟道上加一层绝缘材料二氧化硅，在绝缘层上加一个铝电极作为栅极g 。
如果在G和S之间加一个电压，那么G极铝层和P型衬底之间的间隙就像一个以绝缘层为介质的平行板电容器 。改变G极和S极之间的间隙可以改变N型沟道的电阻 。

场效应晶体管的工作原理
场效应晶体管的主要参数
场效应晶体管的封装形式和引脚分布规律
FET电路示例场效应管在开关电源电路开关振荡电路中的应用
开关集成电路U101中的振荡器开始振荡，为场效应晶体管Q101的栅极G提供振荡信号，场效应晶体管开始振荡，使得开关变压器T101的初级线圈产生开关电流，开关变压器的次级线路信息源回路产生感应电流， 三个管脚的输出经整流滤波后形成正反馈电压，施加到U101的七个管脚，维持振荡电路的工作，使开关电源进入正常工作状态 。场效应晶体管作为该电路中的脉冲放大器，用来实现开关振荡的功能 。


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