英特尔因产品道歉是什么原因？英特尔因产品道歉事件始末( 三 )
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▲10nm工艺和前代工艺的性能对比
这个表中展示了不同工艺的CPP和MPP两个关键数值以及最终面积 ， 单位分别是纳米和平方纳米 ， 可以用作衡量不同工艺所能达到的密度 ， 也可用于衡量不同工艺下晶体管的典型尺寸 。 从这个指标来看 ， 台积电和三星的7nm工艺比英特尔的10nm只稍微密集了一点 ， 这就是为什么英特尔认为自己的10nm工艺依旧具有竞争力的原因之一 ， 但是需要注意的是 ， CPP和MPP是不可以衡量整个工艺全貌的 ， 毕竟还有很多其他的参数 ， 比如鳍片、电流值等 ， 这里只是做一些简单的说明 。
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▲英特尔展示其工艺密度发展情况 
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▲英特尔10nm工艺相对14nm工艺的改进 
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最后英特尔也给出了2张图片用于展示工艺的进步 。 第一张图显示在45nm工艺下为100平方毫米的芯片 ， 在10nm工艺下只有7.6平方毫米 ， 这是工艺的巨大进步 。 另一张图片显示10nm工艺的动态电容比14nm工艺低 ， 但是就晶体管性能而言 ， 14nm++依旧是最出色的 ， 10nm和10nm+都无法超越14nm++的水平 。
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▲英特尔展示22nm、14nm和10nm工艺下三栅极晶体管的栅极情况 。
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总的来说 ， 目前英特尔所给出的任何10nm产品都基于早期的10nm工艺 ， 新的Ice Lake大规模量产时间被放在了2019年底 ， 将采用10nm+的工艺生产 。 这意味着2019年12月的产品可能在单纯衡量晶体管的性能参数方面要落后于2017年10月的14nm++ ， 好在芯片面积会降低很多 ， 这将是一个显著的优势 。
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▲英特尔展示近年来工艺的进步
Sunny Cove
架构多重升级
英特尔在处理器的微架构方面分为两个不同的部分进行 ， 其中一个是通用性能提升 ， 另一个则是特殊用途性能提升 。 其中 ， 通用性能提升部分包含的是微架构增强 ， 比如性能提升、能效比提升、频率增加、IPC提升等 ， 这部分内容提升主要是通过更深（每个时钟更多指令并行）、更宽（每个时钟能够执行更多指令）和更智能（前端更出色的数据传输能力）的架构来实现 。 特殊性能提升主要是通过其他的一些加速方法 ， 比如增加新的指令集、软件升级、库升级或者专用的IP等来改进特定方案中的负载情况 ， 从而达到性能的提升 。
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