江苏龙网

  1. 首页 > 人文 > >

美光|华为又遭美光断供！国内企业恐难替代

美光|华为又遭美光断供！国内企业恐难替代

文章图片

美光|华为又遭美光断供！国内企业恐难替代

文章图片


8月31日 ， 据国外半导体观察媒体semimedia报道 ， 在最近举行的BMO虚拟技术峰会上 ， 美光科技回应媒体 ， 表示该公司将无法在9月14日之后继续向华为供货 。


美光为全球三大存储芯片厂商之一 ， 在世界内存和闪存市场的份额分别为23%和12% 。 而华为是美光绝对的大客户 ， 华为购买美光芯片占美光总收入高达10% 。
美光的断供举措 ， 可谓伤敌一千 ， 自损八百 。 据估算 ， 少了华为这一主要客户 ， 美光营收下降约20亿美元 。


受美国限制出口举措的影响 ， 在遭遇CPU断供和禁止代工之后 ， 存储芯片这一核心零部件又遭遇限制 。
存储芯片被限制 ， 对华为有多大影响？与移动CPU同属半导体产业的存储芯片产品 ， 基本以DRAM内存和NAND Flash闪存两类为主 ， 然被美日韩台企业主导着 。
相关统计数据显示 ， 美光科技与三星、海力士一起 ， 垄断了全球95%以上的DRAM芯片市场 。 而NAND闪存领域 ， 有6大企业垄断了99%的市场 ， 美光科技正是其中之一 。 这充分能展示出 ， 美光科技在内存和闪存芯片领域的重要地位 。
从技术层面来看：
DRAM（动态随机存取存储器）工艺微缩已达1z（12-14nm） ， 2019年 ， 美光率先采用1z nm工艺批量生产16GB DDR4内存 。 美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示 ， 采用1z nm工艺将改善DRAM性能并降低成本 ， 产品密度更高 ， 功耗更低 ， 生产效率比前一代高出27% 。
三星电子、SK海力士随后也已成功开发1z工程 ， 2019年9月已开始量产 。 而且三星电子还表示将于19年底已引入极紫外光（EUV）光刻技术 。 SK海力士在成功开发第2代10纳米级工艺（1y nm）11个月后 ， 也再度取得新进展 ， 成功开发第3代10纳米级工艺（1z nm）的16G DDR4 DRAM 。


3D化是当前NAND闪存领导发展的主要趋势 ， 各NAND闪存大厂都在3D 堆叠上加大研发力度 ， 尽可能提升闪存的存储密度 。 三星的第一代3D V-NAND只有24层 ， 第二代为32层 ， 随后是48层 ， 目前市场上的主流3D NAND产品为64层 。


而美光3D NAND堆叠已经到达128层水平 ， 计划于2020年量产 。
NAND新技术方面 ， 3D XPoint、ReRAM等新一代存储技术被重点开发 。
国内存储芯片发展现状而国内的存储芯片企业 ， 虽然近几年技术进步很快 ， 但仍处于被吊打的境地 。
长江存储拥有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力 ， 已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片 ， 仅为32层 ， 但填补了国内在这一领域的空白 。
长江存储近期宣布成功研发128层3D NAND Flash芯片系列 ， 距离量产至少还有1年 。 整体技术落后一代以上 。
2017年刚刚成立的合肥长鑫 ， 于2019年生产出DDR内存芯片 ， 终于在存储芯片行业迈出了第一步 。 近期合肥长鑫将DRAM工艺推进到了1x纳米级（相当于16-19nm工艺） 。 对比最先进的1z（12-14nm） ， 相差大约两代 。
发展的阻力：美国2018年 ， 福建晋华在DRAM内存领域实现大突破 ， 计划在2019年实现19nm工艺DRAM内存芯片的量产 ， 为当时国内最领先的存储芯片企业 。 同10月 ， 美国商务部便以“美光电子指控福建晋华窃取知识产权”为由 ， 将福建晋华列入了禁售清单 ， 禁止任何美国企业向福建晋华出售产品和设备 。
缺乏关键设备和生产材料 ， 刚刚有所突破的福建晋华直接被美国打倒 。
同移动CPU一样 ， 存储芯片产品在国内依然找不到合适的替代 。 而国外三星、海力士产品也有美国技术支持 ， 潜在存在限制威胁 。 美国不但可以直接从产品上来限制 ， 也能间接从设备、应用材料上来制裁 。
因此 ， 存储芯片限制给华为带来的影响 ， 是仅次于移动CPU的 。
【美光|华为又遭美光断供！国内企业恐难替代】从处理器到存储芯片 ， 美国的一步步制裁 ， 不会打倒我们 ， 却更加坚定了我们技术自主的决心 。


    推荐阅读


    上一篇：|原厂软件不是唯一选择 第三方锐龙超频软件来了

    下一篇：realme|为什么说真正懂电脑的人，购买笔记本时，不会选苹果笔记本？