江苏龙网

  1. 首页 > 人文 > >

英特尔全新晶体管：Intel 10nm吹响反攻号角


近日 ， Intel在其2020年架构日中更新了他们在六大技术支柱方面所取得的进展 ， 揭秘了Willow Cove ， Tiger Lake和Xe架构以及全新的晶体管技术 。 这为我们展现了一个不服输 ， 甚至还在挑战新领域的Intel 。
SuperFin技术重新定义晶体管
Intel本次发布的全新晶体管技术是这次架构日中的亮点之一 。
一直以来 ， Intel在晶体管技术的发展中扮演着重要的角色 。 大约十年以前 ， 晶体管结构开始从平面结构转向FinFET 。 在这个转变过程当中 ， Intel是第一个将FinFET实现商业化的企业——2011年 ， Intel将之用于22nm工艺的生产 。 两年后 ， 其他企业才跟进有关FinFET的生产 。 从16/14nm开始 ， FinFET成为了半导体器件的主流选择 。 时至今日 ， FinFET仍旧是现代纳米电子半导体器件制造的基础 ， 支持着7nm ， 甚至是未来5nm、3nm的发展 。
但在先进工艺不断向前发展的过程当中 ， FinFET技术也需要不断地进行更新 ， 才能满足晶体管性能上的提升 。 因此 ， 在Intel从14nm走向10nm的过程中 ， 他再次重新定义了晶体管 。
【英特尔全新晶体管：Intel 10nm吹响反攻号角】在本次架构日当中 ， Intel推出了10nm SuperFin技术 。 Intel称 ， 这是该公司有史以来最为强大的单节点内性能增强 ， 带来的性能提升可与全节点转换相媲美 。 换言之 ， 在SuperFin技术的加持下 ， Intel推出的10nm工艺效能可以等同于7nm 。
从Intel公布的信息中看 ， 10nm SuperFin技术还实现了Intel增强型FinFET晶体管与Super MIM（Metal-Insulator-Metal）电容器的结合 。 据其官方资料显示 ， Super MIM在同等的占位面积内电容增加了5倍 ， 从而减少了电压下降 ， 显著提高了产品性能 。
Intel称 ， 该技术由一类新型的“高K”（ Hi-K）电介质材料实现 ， 该材料可以堆叠在厚度仅为几埃厚的超薄层中 ， 从而形成重复的“超晶格”结构 。 这是一项行业内领先的技术 ， 领先于其他芯片制造商的现有能力 。
英特尔全新晶体管：Intel 10nm吹响反攻号角
本文插图
为什么说SuperFin技术重新定义了晶体管 。 这就要从单节点内性能提升幅度的角度看 。 从Intel提供的数据来看 ， 如今加强版14nm在性能上相比第一代已经提升了超过20％ ， 而这种提升幅度是经过了四次修订才达到的 。 但有了SuperFin技术 ， Intel的10nm做到这种提升却只花了一代 。 因而 ， 可以说这是相当于一代制造工艺的飞跃 。
英特尔全新晶体管：Intel 10nm吹响反攻号角
本文插图
从Intel的介绍中看 ， SuperFin技术无疑是推动其先进制程快速向前发展的利器 。 在笔者看来 ， 这也是Intel对市场质疑其先进工艺落后的回击（前不久Intel公布了其第二季度财报 ， 当时Intel称其7nm芯片考虑由其他企业代工 ， 引起了市场质疑其先进工艺的水平） 。
3D封装技术的新进展
众所周知 ， 先进工艺的进步需要相关企业对此进行的投入越来越大 ， 但在大规模投资下所诞生的制程微缩所带来的单位成本降低的效益却明显下降 ， 在这种环境下 ， 先进封装成为了各大厂商竞逐的新领域 。
近几年 ， 异构架构的出现推动了先进封装的发展 。 在此期间 ， Intel发布了2.5D封装EMIB、3D封装Foveros以及被视为是两者结合的Co-EMIB 。
在本次架构日当中 ， Intel介绍了继Foveros后又一新的先进封装技术 。 Intel称其为“混合结合（Hybrid bonding）”技术 。 Intel的官方资料显示 ， 当今大多数封装技术中使用的是传统的“热压结合（thermocompression bonding）”技术 ， 混合结合是这一技术的替代品 。 这项新技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距 ， 提供更高的互连密度、带宽和更低的功率 。


推荐阅读


上一篇：红米手机Redmi Note 8 pro，预算两千以下，真实测评

下一篇：郑少PPT太难了，老板的PPT没有图怎么做？分享3个实战设计案例！