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内存|绕过EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术

【内存|绕过EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术】EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径，但并非唯一解 。
对于国内厂商来说，当前在3D NAND闪存的发展上，就因为不需要EUV机器，从而找到了技术追赶的机会 。
而在DRAM内存芯片领域，尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过EUV光刻的新方案 。
据问芯报道，在中国国际半导体技术大会CSTIC 2022中，芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技术的3D 4F² DRAM架构问世 。
他指出，基于HITOC技术所开发的全新架构3D 4F² DRAM芯片，最大特点是不需要用到EUV光刻机，也不需要多重图形曝光SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning）步骤，这可以大幅减少成本，更重要的是，避免了设备被国外制造商卡脖子 。
所谓HITOC，即Heterogeneous Integration Technology on Chip的缩写，就是运用先进的晶圆对晶圆和晶粒对晶圆混合键合制造工艺，将不同类型的晶圆或晶粒上下对准贴合，以实现真正的三维异构单芯片集成 。
内存|绕过EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术
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至于此次的3D 4F² DRAM芯片，具有更低的位线电容、更低的字线延迟、CMOS独立在一片晶圆上设计不受Array工艺制程限制以及更低的成本等优势，只是还不清楚最终的芯片成品可以对标大厂的几纳米 。
事实上，HITOC技术两年前就被芯盟用在了存算一体AI芯片SUNRISE上，该芯片已经应用在晶圆厂生产线智能缺陷分类系统领域 。去年，HPC公司豪微科技最新流片成功的布谷鸟2芯片上，也借助芯盟的HITOC技术，实现了大容量存算一体3D架构 。
资料显示，芯盟(ICLeague)是一家成立于2018年的年轻公司，总裁、CEO洪沨毕业于美国北卡罗莱纳州立大学材料科学与工程专业，曾在Intel、NXP、中芯国际、武汉新芯、积塔等工作，高管中其它核心乘员也都有着过硬的学历和半导体从业背景 。
内存|绕过EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术
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