|技术文章—占空比的上限


开关稳压器使用占空比来实现电压或电流反馈控制 。 占空比是指导通时间(TON)与整个周期时长(关断时间(TOFF)加上导通时间)之比 , 定义了输入电压和输出电压之间的简单关系 。 更准确的计算可能还需要考虑其他因素 , 但在以下这些说明中 , 这些并不是决定性因素 。 开关稳压器的占空比由各自的开关稳压器拓扑决定 。 降压型(降压)转换器具有占空比D , D = 输出电压/输入电压 , 如图1所示 。 对于升压型(升压)转换器 , 占空比D = 1 –(输入电压/输出电压) 。
这些关系仅适用于连续导通模式(CCM) 。 在这个模式下 , 电感电流在时间段T内不会降至0 。 以额定负载工作的电路一般使用这种模式 。 在低负载下 , 或者间歇性工作时 , 线圈电流在关断时间放电 。 这个模式称之为断续导通模式(DCM) 。 这两种工作模式在特定输入电压和输出电压下 , 都有自己的占空比关系 。
【|技术文章—占空比的上限】
|技术文章—占空比的上限
本文插图

图1.采用ADP2441的典型降压型开关稳压器
图2所示为时域中的开关行为示例 。 在这个示例中 , 我们考虑在非间歇工作模式下的降压型开关稳压器;即 , 在连续导通模式下 。 占空比与开关频率无关 。 时段T一般在20 μs (50 kHz)和330 ns (3 MHz)之间 。 如果输入电压和输出电压的值相同 , 那么需要占空比 = 1 。 这意味着 , 只存在导通时间 , 不存在关断时间 。 但是 , 并非每个开关稳压器都能实现 。 如图1所示 , 为了实现这个占空比 , 高压侧MOSFET必须持续导通 。 如果这个开关设计为N通道MOSFET , 其栅极电压需要高于电路的输入电压 , 器件才能运行 。 如果每次导通之后都需要关断一定时间(占空比<1时的情形) , 根据电荷泵原理 , 可以轻松生成比电源电压高的电压 。 但是 , 对于100%占空比 , 这不可能实现 。 所以 , 对于占空比为100%的开关稳压器 , 要么采用不依赖开关稳压器MOSFET、独立运行的精密电荷泵 , 要么将图1所示的高压侧开关设计为P通道MOSFET 。 这些都会导致工作量和成本增加 。
图3所示为ADI公司的开关稳压器ADP2370 , 该稳压器通过将P通道MOSFET用作高压侧开关来实现100%占空比 。 对于这种类型的降压转换器 , 输入电压可以降低至非常接近输出电压 。 将P通道开关集成到开关稳压器中 , 可以避免产生额外成本 。
|技术文章—占空比的上限
本文插图

如果应用要求输入电压能够降至非常接近输出电压设置点的水平 , 则应选择允许占空比 = 1或100%的开关稳压器 。
占空比除了受开关稳压器拓扑的高压侧开关决定的这种限制外 , 还受其他因素限制 。


    推荐阅读