|为国产芯再立功！对标台积电7nm，中芯国际首款N+1工艺芯片迎突破
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被外界称为对标台积电7nm工艺的中芯国际N+1工艺近期再获新突破 。 据IT之家10月11日报道 ， 我国一站式IP定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）发布消息称 ， 该公司已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的流片和测试 ， 所有IP全自主国产 ， 且功能测试一次通过 。
所谓完成芯片流片 ， 也就意味着该制程工艺已经具备有意义的“良品率” ， 并且可以尝试进行批量生产 。 截至发稿 ， 中芯国际港股涨超10% ， 成交额超9亿港元 。
【|为国产芯再立功！对标台积电7nm，中芯国际首款N+1工艺芯片迎突破】此次成功流片是芯动科技与中芯国际“强强合作” ， 突破N+1工艺瓶颈的成果 。 自2019年开始 ， 芯动科技就在中芯国际N+1工艺尚待成熟的情况下 ， 投入数千万进行优化设计 ， 并投入技术团队全程攻坚克难 ， 成功助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈 。
在今年3月底 ， 中芯国际也表示 ， 先进工艺正是中芯国际今年发展的重点 ， 接下来该公司会转向下一代工艺——N+1及N+2代FinFET工艺的研发 。
N+1工艺是中芯国际再第一代先进工艺14nm量产后 ， 第二代先进工艺的代号 。 据透露 ， 与14nm相比 ， N+1工艺有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及逻辑面积缩小63%等；而在N＋1之后 ， 中芯国际还将着手研发性能更高的N+2 。
总的来说 ， 此次全球第一款基于中芯国际N+1工艺芯片流片成功 ， 为实现大规模量产迈出了坚实一步 ， 也为国产芯片的发展增添了力度 。
文 | 林妙琼 题 | 曾云梓 图|饶建宁 审 |廖力思
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