中芯国际|中芯国际正式宣布：7nm制程“取得突破”！
文章图片
中兴7nm芯片商用之际 ， 中芯国际7nm制程取得“重大突破”！近日 ， 在中兴通讯宣布5G基站7nm芯片实现商用的同一天 ， 中芯国际第二代FinFET工艺也凑巧曝出新进展 。 据珠海市委机关报《珠海特区报》发布的信息显示 ， IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试 ， 所有IP全自主国产 ， 功能一次性通过 。
而关于N+1工艺所具备的科技含量 ， 中芯国际联合CEO梁孟松去年曾透露 ， 该工艺在功率和稳定性方面和7nm工艺非常相似 ， 且不需要EUV光刻机 ， 所以N+1工艺是面向低功耗应用领域 。 而关于成功流片 ， 中科院半导体所介绍称：“就是在实验室得到的器件的性能达到指标的意思” 。 而真正的实现量产 ， 器件的可靠性、退化机制等一些特性还需要大量的数据和反复检验 。
《珠海特区报》报道截图
“不仅意味着具有自主知识产权的“国产芯”再次打破国外垄断 ， 同时也说明“国产版”的7nm芯片制造技术已经得到突破！
【中芯国际|中芯国际正式宣布：7nm制程“取得突破”！】
《珠海特区报》报道截图
中芯国际有望在制程上赶超英特尔！
9月中旬 ， 中芯国际在“上证e互动”平台回答投资者提出的问题时披露：“FinFET N+1已进入客户导入阶段 ， 有望于2020年底实现小批量生产 。 ”在此之前 ， 中芯国际曾向荷兰阿斯麦（ASML）订购一台EUV光刻机 ， 用于下一代工艺制造 ， 价值高达1.5亿美元 ， 原计划在2019年初交付 。 但在美国阻扰之下 ， 这项交易至今仍未完成 。
对于外界“没有EUV光刻机就无法实现下一代工艺开发”的质疑 ， 梁孟松提到 ， 在当下的计划中 ， N+1和N+2工艺都不会使用EUV设备 ， 等到设备就绪以后 ， N+2才会转而使用EUV设备 。
福布斯中文网也在今年3月的报道中指出 ， 中芯国际的7nm工艺发展跟台积电路线差不多 ， 7nm节点一共发展三种工艺 ， 分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+ 。
需要注意的是 ， 目前世界上可以量产7nm芯片的晶圆代工厂商仅台积电和三星两家 ， IDM厂商英特尔10nm产品刚上市不久 ， 7nm芯片可能推迟至2023年 。 这意味着 ， 中芯有望在制程上赶超英特尔 。
对此 ， 你怎么看呢？
推荐阅读
![[五商玩卡]网友：库克真会偷懒！，苹果始料不及！代工小哥冒险曝光](https://imgcdn.toutiaoyule.com/20200305/20200305224210891354a_t.jpeg)
- 国际空间站|重达2.9吨！国际空间站竟扔了一块巨大的太空垃圾
- iter|国际热核聚变实验堆（ITER）产氚实验包层项目在成都启动
- nasa|NASA展示国际空间站“小型花园”和植物实验
- 国际空间站|宇航员对国际空间站进行维护 太空行走近7小时
- 新冠病毒|健康新知｜英国新冠病毒人体挑战试验已正式开始，这种试验是什么概念？
- 胸心血管外科|赞！深圳龙岗这项创新术式 登上胸心血管外科国际专业杂志
- 广西国际壮医医院|奇迹！深度昏迷4个月，少年苏醒后写下“好好活下去”
- 宇航员|两名俄罗斯宇航员将修复导致国际空间站漏气的裂缝
- 中国人民大学|中国人民大学物理学系三项国际前沿研究取得突破！
- 国际空间站|国际空间站乘员正开始密封俄罗斯舱的第二个裂缝