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台积电2nm制程取得突破：2024年就能量产

芯片制程的提升是有瓶颈的 ， 当芯片尺寸小于5nm时就会产生量子隧穿效应 ， 电子会自行穿越晶体管的栅极和源极通道 ， 造成0和1的逻辑错误 。 因此很多业内人士都说3nm制程很可能就是硅基半导体工艺的极限 ， 2017年张忠谋也表示台积电的2nm制程工艺需再等数年才能下结论 。
台积电2nm制程取得突破：2024年就能量产
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不过实际情况要乐观得多 ， 近日有报道称台积电的2nm工艺取得重大突破 。 台积电在去年成立了2nm研发团队 ， 针对FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题 ， 团队综合了成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件 ， 一改过去3nm、5nm的鳍式场效应晶体管（FinFET） ， 该用以环绕闸极制程为基础的多桥通道场效电晶体MBCFET架构 。
同时极紫外光（EUV）微显影技术的提升 ， 使台积电研发多年的纳米片（NanoSheet）堆叠关键技术更为成熟 ， 良率提升进度较预期顺利 。 台积电此前透露2nm研发生产将在新竹宝山 ， 规划P1到P4四个超大型晶圆厂 ， 占地90多公顷 。
以台积电2nm目前的研发进度研判 ， 供应链预计台积电2023年下半年可望进入风险性试产 ， 2024年正式量产 。
【台积电2nm制程取得突破：2024年就能量产】·END·
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