芯片|再传两个好消息!任正非拜访中科院,中芯国际年底试产8nm芯片

【芯片|再传两个好消息!任正非拜访中科院,中芯国际年底试产8nm芯片】芯片|再传两个好消息!任正非拜访中科院,中芯国际年底试产8nm芯片

文章图片

芯片|再传两个好消息!任正非拜访中科院,中芯国际年底试产8nm芯片

文章图片

芯片|再传两个好消息!任正非拜访中科院,中芯国际年底试产8nm芯片

文章图片

芯片|再传两个好消息!任正非拜访中科院,中芯国际年底试产8nm芯片

文章图片


了解更多科技资讯尽在“圈聊科技” 。
今天跟大家聊一聊:现在国人关注的焦点基本都在芯片上 , 而近日在芯片领域再次传来了2个好消息 , 任正非拜访中科院院长 , 中芯国际在年底将实现8nm芯片工艺的试产 , 这意味着什么呢?

一直以来在整个半导体领域 , 我们都需要依赖于国外的技术和产品进口 , 特别是在芯片领域更是如此 , 在老美的相关限制之下 , 华为的处境尤为艰难 , 光有顶尖的芯片设计工艺 , 却无法实现芯片的制造成型 。 华为的“偏科严重”也直接反应了 , 目前整个中国半导体领域所存在的问题 。

不过就在近日 , 中国半导体领域接连传来两个好消息 , 也给科研人员提供了足够的信心 。
任正非拜访中科院院长在9月17号的下午 , 任正非到访中科院 , 和中科院主要负责人进行了座谈会 , 其中就包括中科院院长白春礼在内 , 而此次会谈的主要内容就是关于基础理论以及关键技术研发进行相应的探讨 。

中科院院长也给予了华为高度的肯定 , 并表示:“华为是中国的品牌 , 也成为了民族的骄傲 , 目前也已经取得了傲人的战绩 , 期待着双方能够拥有更紧密的合作 。 ”
据悉任正非和到访中科院的目的也非常明确 , 主要就是针对关键领域技术的突破 , 因为华为非常清楚目前我们在哪些技术上存在不足 , 把这些技术一一列出来 , 最后再由强大的中科院去攻克 。

而此前中科院就已经把光刻机、航空轮胎、轴承钢等关键技术 , 进行了系统的规划 , 结合全院的力量去攻克这些技术难关 , 在经过和任正非的这次座谈会之后 , 中科院也能够更加了解目前我们在哪些技术上存在不足 。
中科院在欧美国家看来是一个神秘且强大的组织 , 这里代表着全球最高的学术机构之一 , 里面拥有着顶尖的科研人才 , 同时也是中国科研人才的象征 。 而任正非此次到访中科院 , 就意味着今后将会和中科院建立起紧密的联系 , 华为也不再需要单打独斗了 , 背后也有了强大的“国家队”支持 。

中芯国际8nm芯片年底试产根据相关消息称 , 中芯国际目前已经正式回应了 , 客户导入阶段已经在第二代N+1技术上实现 , 不出意外的话将在年底进行试产 。
什么是N+1技术呢?
中芯国际作为中国最为先进的芯片代工厂 , 虽然在制程工艺上和台积电以及三星还有很大差距 , 但终其原因还是因为缺少了尖端光刻机 。 中芯国际早就在两年前 , 就交付定金订购了ASML公司的高端光刻机 , 但由于受到相关限制 , 直到今天为止仍然没有任何突破的消息传出 , 中芯国际的制程工艺也因此一直被卡在了14nm 。

在面对这样的情况之下 , 他们只能选择另辟蹊径 , 由此诞生了N+1技术 , 希望能够通过这种方式绕开光刻机 , 实现更为先进的制程工艺 。 目前这项技术已经进入到了第二代 , 经过改良升级的N+1工艺 , 同样是14nm的芯片 , 在整体工艺上却比台积电提升了20% , 功耗上也降低了7% , 最大的改变是在于面积上 , 直接缩小了百分63% , 也就意味着这样的水平已经达到了台积电8nm的工艺 。
由于这是全新的技术 , 虽然能够达到台积电8nm的工艺 , 但是要等年底才能够知道最终的结果 , 在良品率上是和台积电没有办法比较的 。 不过这对于整个中国半导体领域来说都是一个好消息 , 如果这项技术能够成功的话 , 也会加大中芯国际对于这种另辟蹊径工艺的信心 。

据悉目前中芯国际已经在着手研发全新的N+2工艺 , 一旦实现的话 , 在相关的技术上就能够达到台积电7nm的工艺水平了 , 不过目前还只是存在于理论上的可能性 , 最终还要等待台积电的最后确认 。
芯片制造是目前最难的一个过程 , 我们也饱受欧美国家的冷嘲热讽 , ASML公司更是认为就算给我们图纸 , 也造不出光刻机 , 台积电负责人也曾说过 , 我们就算举国之力也不可能在芯片领域有所成就 。

然而现在他们该为之前说过的话后悔了吧 , 目前中国已经能攻克了28nm光刻机的技术 , 而中芯国际也能够实现14nm工艺的量产 , 这些技术都是我们自主研发出来的 , 虽然还存在着很大的差距 , 但考虑到时间因素 , 我们能够取得这么大的成就 , 已经非常的不容易了 。


    推荐阅读