中芯国际：N＋1工艺已进入客户导入阶段，年底有望小批量试产
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在此前公布的2020年上半年财报当中 ， 中芯国际就曾表示 ， 第二代先进工艺（N＋1）进展顺利 ， 已进入客户产品验证阶段 。
近日有报道称 ， 在大规模量产14nm工艺后 ， 中芯国际的N＋1代工艺已经进入客户导入阶段 ， 有望于2021年进入量产 。
【中芯国际：N＋1工艺已进入客户导入阶段，年底有望小批量试产】对此 ， 中芯国际回应称 ， 该公司的第一代FinFET14nm工艺已于2019年第四季度量产 ， 第二代FinFETN＋1工艺已经进入客户导入阶段 ， 有望于2020年底小批量试产 。
按照这样的时间表推测 ， 如果顺利的话 ， 中芯国际N＋1工艺确实可能会在2021年规模量产 。
N+1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号 ， 但中芯国际并未透露具体的数字节点 。 根据中芯国际联席CEO梁孟松博公布的信息显示 ， 的N＋1工艺和现有的14nm工艺相比 ， 性能提升了20% ， 功耗降低了57% ， 逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% 。 从逻辑面积缩小的数据来看 ， 与7nm工艺相近 。
梁孟松博士也表示 ， N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似 ， 但性能要低一些（业界标准是提升35%） ， 所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的 。 而在N＋1之后 ， 中芯国际还会有N＋2 ， 这两种工艺在功耗上表现差不多 ， 区别在于性能及成本 ， N＋2显然是面向高性能的 ， 成本也会增加 。
编辑：芯智讯-林子
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