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|台积电 2nm GAA 工艺研发进度提前，FinFET 要被淘汰了

|台积电 2nm GAA 工艺研发进度提前，FinFET 要被淘汰了

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在芯片工艺上 ， 除了我们普通的几纳米外 ， 我们往往还能看到代工厂商拿出 FinFET 这一串英文字母 。 这是一项由美籍华人科学家胡正明教授提出的技术 ， 全名 Fin Field-Effect Transistor ， 也叫鳍式场效晶体管 。



FinFET 的意义在于 ， 当晶体管的尺寸小于 25 纳米以下 ， 传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小 ， FinFET 则可以将场效应管立体化 。改善电路控制减少漏电流 ， 同时让晶体管的闸长大幅度缩减 。

不过 ， FinFET 也有极限 ， 5nm 之后 ， FinFET 就接近失效 。 接下来 ， 厂商要升级技术了 。在 7nm FinFET 之后 ， 芯片代工厂 用上了 GAA 技术 ， 也就是Gate-All-Around 环绕式栅极技术。



这方面最早的仍然是三星 ， 三星已经准备在 3nm 工艺的时候引入 GAA 技术 。 基于全新的GAA晶体管结构 ， 三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET （Multi-Bridge-Channel FET ， 多桥-通道场效应管）， 3nm 工艺可将核心面积减少 45% ， 功耗降低 50% ， 性能提升 35% 。

至于台积电 ， 最新消息显示 ， 台积电很有可能在 2nm 的时候在引入 GAA 技术 。 根据 Digitimes 报道 ， 台积电 2nm GAA 工艺研发进度提前 ， 目前已经结束了路径探索阶段 。

7nm、5nm、3nm、2nm...之后呢？



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