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|领先业界，三星宣布量产第三代10纳米级LPDDR5 DRAM

|领先业界，三星宣布量产第三代10纳米级LPDDR5 DRAM

全球DRAM芯片制程技术持续进化 。 据媒体报道 ， 韩国半导体巨头三星电子开出业界第一枪 ， 顺利使用极紫外光微影技术来量产第三代10纳米级LPDDR5 DRAM芯片 ， 有望将DRAM制程向个位数纳米制程推进 。

媒体8月31日报道 ， 三星30日宣布 ， 位于韩国平泽市的第二条半导体生产线 ， 率先量产全球最先进的第三代10纳米级LPDDR5 DRAM芯片 ， 拥有业界最高水准的容量和速度 。
今年2月 ， 三星已使用第二代10纳米级制程技术量产16GB LPDDR5 DRAM 。 短短6个月后 ， 该公司便进一步强化高阶行动DRAM的产品阵容 ， 并成功导入新一代芯片生产技术 。
SK 海力士为全球第二大DRAM厂 ， 市占率仅次于三星 。 报道指出 ， SK 海力士正在研发以EUV技术生产第4代10纳米级制程的DRAM ， 目标是在2021年实现量产 ， 进度大约较三星落后半年至一年 。
根据全球市场研究机构集邦科技的数据 ， 全球DRAM市场由三星和SK海力士稳居冠亚军 ， 第二季市占率分别达到43.5%、30.1% 。
【|领先业界，三星宣布量产第三代10纳米级LPDDR5 DRAM】三星最新第三代10纳米级LPDDR5 DRAM芯片 ， 传输速度最高可达6400MB/s ， 比目前市面上旗舰级手机所用的12GB LPDDR5移动DRAM快16% 。 据三星表示 ， 搭载16GB内存的智能手机 ， 每秒可传送51.2GB的资料 ， 约相当于10部HD电影 。


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