行业互联网,台积电|台积电宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封装12颗HBM
除了5nm、4nm、3nm、2nm工艺进展和规划 ， 台积电近日还公布了不少新的芯片封装技术 ， 毕竟随着高性能计算需求的与日俱增、半导体工艺的日益复杂 ， 单靠升级制程工艺已经不能解决所有问题 。
台积电的CoWoS-S晶圆级封装技术已经使用了很多年 ， 大大突破了光刻掩膜尺寸的限制 ， 芯片越做越大 ， 内部封装的小芯片也越来越多 。
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2016年的时候 ， 台积电做到了1.5倍于掩模尺寸的规模 ， 单芯片内部可封装4颗HBM高带宽内存芯片 ， 去年达成2x尺寸、6颗HBM ， 并计划明年实现3x尺寸、8颗HBM 。
根据台积电最新公布的规划 ， 2023年的时候 ， 他们将把芯片做到4倍于掩模尺寸的程度 ， 内部可以封装多达12颗HBM ， 再加上主芯片就有13颗 ， 而总面积估计可达惊人的3200平方毫米 。
作为对比 ， NVIDIA安培架构的GA100核心面积为826平方毫米 ， 7nm工艺 ， 540亿晶体管 ， 也不过它的大约四分之一 。
HBM技术发展迅速 ， 虽然还不确定2023年会是什么样子 ， 但无论容量还是带宽都将超越很多人的想象 ， 上百GB、TB/s应该都不是事儿 。
目前最先进的三星HBM2e已经做到单颗12层堆叠 ， 数据传输率3200MT/s ， 带宽至少4.92TB/s 。
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