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融资并购36氪首发 | 推出碳化硅功率半导体“模块+”应用解决方案，「忱芯科技」获数千万元天使轮融资


36氪获悉 ， 碳化硅(SiC)功率半导体模块及应用解决方案提供商忱芯科技(UniSiC)宣布完成数千万元人民币天使轮融资 ， 本轮融资由原子创投独家投资 ， 浦软孵化器担任独家财务顾问 。 本轮融资资金将主要用于产品研发、量产等方面 。
忱芯科技主要为终端客户提供包括碳化硅功率半导体模块、驱动电路和碳化硅电力电子系统应用服务在内完整的“模块+”定制化应用解决方案 。
硅作为半导体产业的基础材料 ， 其性能的挖掘已经逼近极限 ， 因此性能更好的第三代半导体材料（宽禁带半导体材料）开始受到半导体产业的青睐 。
作为第三代半导体材料的一种 ， 碳化硅具有耐高压、耐高温、能量损耗低而耐高频运行的特点 ， 例如相同规格的逆变器 ， 使用碳化硅基MOSFET模块的和使用硅基IGBT模块的相比 ， 其能量损耗小于后者的1/4 ， 其体积也小于后者的1/2 ， 可以大幅降低终端用户成本支出 。
因此 ， 碳化硅功率半导体模块将广泛应用于新能源汽车、新能源发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域 。 依靠封装技术优势 ， 推出多款全碳化硅MOSFET模块
作为国内碳化硅领域的先行者之一 ， 忱芯科技已经研发出多款全碳化硅MOSFET模块 ， SiC MOSFET模块可以作为电力系统的主开关 ， 更好地发挥SiC低损耗的特点 ， 相较于SBD模块其应用范围更广且技术壁垒更高 。 忱芯科技未来还将推出碳化硅基MOSFET与硅基IGBT的混合模块产品 ， 提供给价格敏感性偏高的客户 。
目前公司推出的基于HPD封装的900V/820A@25℃三相SiC功率半导体模块已实现小批量交付 。
该产品具有低杂感(<8nH)的特点 ， 减少了芯片开关损耗 ， 降低芯片电压应力 ， 提升系统工作电压能力；同时通过内置栅极电路 ， 提升多芯片并联均流能力；此外 ， 通过集成吸收电路 ， 降低芯片电压应力和损耗 。 因此 ， 该产品可应用于高功率密度、高效率电机驱动系统 。
碳化硅功率半导体模块的研发制造关键点和难点在于其封装技术 ， 因为现有面向硅基功率半导体模块开发的传统封装技术在应用于碳化硅器件时 ， 在多芯片并联均流、散热、电磁干扰、可靠性等多个关键环节都面临着挑战 。
忱芯科技在封装环节选择高可靠性的互连材料、热界面材料、焊料等多种封装材料 ， 采用一致性程度高的封装工艺和其自主研发的低杂散电感封装技术 ， 并且在封装设计时注重材料性能的适配性 。 由此 ， 忱芯科技从封装材料、封装工艺、封装设计三个方面形成了自身的技术优势 。
针对不同行业终端用户的定制化需求 ， 忱芯科技会对功率模块进行定制化的封装设计 ， 提供高性能的产品 。
例如对新能源汽车小型化、高效化的需求 ， 一般传统的封装技术无法充分发挥碳化硅高温、高频的特点 ， 并且体积过大 。 忱芯科技采用自主研发的双面塑封技术 ， 为客户提供小体积、低杂感的功率模块 。
未来忱芯科技还将打造封装工艺设计平台 ， 以更快速度和更低的交付成本响应客户的定制化需求 。 SiC功率模块驱动电路+系统应用服务 ， 形成“模块+”解决方案
为了一站式解决客户碳化硅功率模块的系统应用问题 ， 忱芯科技还开发出基于最新一代NXP GD3100 驱动芯片的SiC 功率模块驱动电路 。
该驱动电路配备隔离SPI 智能数字接口 ， 驱动参数可灵活配置 ， 易于实现状态监控；芯片快速退饱和检测保护时间小于 2us ， 门极最大输出峰值电流高达15A ， 实现可编程米勒钳位、集成软关断和有源钳位功能；支持原边、副边供电欠压保护 ， 开关频率超100kHz ， 共模瞬态抗扰度(CMTI)高达100kV/us 。
该智能化驱动电路可以为模块提供快速响应的短路保护 ， 对模块进行全生命周期设备健康管理 ， 保障SiC MOSFET模块充分发挥性能 。
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