ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET( 二 ) 对于功率半导体来说,当导

----ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET//----

2.通过大幅降低寄生电容,实现更低开关损耗

通常,MOSFET的各种寄生电容具有随着导通电阻的降低和电流的提高而增加的趋势,因而存在无法充分发挥SiC原有的高速开关特性的课题。

此次,通过大幅降低栅漏电容(Cgd),成功地使开关损耗比以往产品降低约50% 。

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术语解说

※1)MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor的缩写)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构。用作开关元件。

※2)短路耐受时间

MOSFET短路(Short)时达到损坏程度所需的时间。通常,当发生短路时,会流过超出设计值的大电流,并因异常发热引起热失控,最后导致损坏。提高短路耐受能力涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。

※3)双沟槽结构

ROHM独有的沟槽结构。在SiCMOSFET中采用沟槽结构可有效降低导通电阻,这一点早已引起关注,但是需要缓和栅极沟槽部分产生的电场,以确保元器件的长期可靠性。

ROHM通过采用可以缓和这种电场集中问题的独有双沟槽结构,成功攻克了该课题,并于2015年全球首家实现了沟槽结构SiCMOSFET的量产。

※4)寄生电容

电子元器件内部的物理结构引起的寄生电容。对于MOSFET来说,有栅源电容(Cgs)、栅漏电容(Cgd)和漏源电容(Cds) 。栅源电容和栅漏电容取决于栅极氧化膜的电容。漏源电容是寄生二极管的结电容。

※5)沟槽结构

ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET。沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET( 二 )