为啥高掺杂的半导体耗尽层就窄，低掺杂时耗尽层就宽
所谓的PN结就是电中性的一段，耗尽层正负电荷数相等。P 多空穴，N 多电子PN结合时，P区空穴往N扩散，N区电子往P扩散，而跑掉了空穴（或电子）的区域，形成了带负电荷（或正电荷）的耗尽区，其中形成N指向P的电场直到受电场作用而漂移的电子/空穴抵消受浓度作用而扩散的电子/空穴。掺杂高的P区，较窄的区域就贡献足够的空穴，跟掺杂低的N区贡献出电子相抵消
■网友
掺杂浓度N高，内建电场E增大，势垒电压V也增大，但E与N成正比，V与ln(N)成正比，E增长比V快，而V＝dE，因此d在同时减小。
■网友
我觉得可以从扩散速度来理解。高掺杂扩散速度快，迅速形成耗尽层，进而产生内电场，对后续的扩散形成阻碍，所以耗尽层窄，低掺杂则反之，扩散慢，等到耗尽层形成，已经有很多空穴和电子结合了，所以宽！ 就像两国交战，首先让两方将军上，且实力不分上下，那气场让双方小兵不敢上，战场范围就小，如果让小兵先杀一阵，发现实力差不多，休战，那战场范围就大！ 纯属个人见解，慎重采取！
■网友
因为耗尽层主要在低掺杂一侧展宽。
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