最新的半导体工艺可以控制的MOS中二氧化硅绝缘层厚度的精度是多少
应用于量产的栅级介电质厚度最小已经在约10A..量测出的批次之间差异可控制在0.1A 以下..等效的电性厚度精度也差不多在0.1A.
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300nm?
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