FinFET和FD SOI的比较?( 二 )
■网友
关键是Intel就是不选择SOI技术啊。
■网友
主持人：
今天聊一个比较重要的消息，就是格罗方德宣布放弃7nm FinFET工艺开发。这个新闻对于非工科的小白来说也是非常难懂。首先请谢院长科普一下什么是FinFET？
谢院长：
这个听上去有点绕口，也不知道怎么念。我们知道在金融界，有一个很时髦的名词FinTec，也就是finace technology的意思。而FinFET中的FET就是 “Field-Effect Transistor”。也就是我们大家比较熟悉的MOS管。在这里里用了而一个比较拗口的名字“FinFET”，实际上它很简单，是从过去的两维的晶体管或者开关变成了三维立体的。
我们简单聊一下它的一些特性。它的密度、集成度更高，而且漏电流更低。所谓的漏电流就是说，一般关掉电，理论上应该没有电流的，但实际上还是有泄露的，并没有完全关掉。
我们很多的集成电路在关掉的状态下还在消耗电，原因就是有漏电流。
主持人：
那我手机经常会发烫是这个原因吗？
谢院长：
不是。手机发烫是开的越大，电流越大。它就会产生很多热，也就焦耳热。就是消耗电流，说白了就是欧姆定律。任何一个电流流过一个电阻它都会产生热量，这个是电能变热能。
那么除非是电阻为零，否则他就会有。
【FinFET和FD SOI的比较?】 好的芯片它就不容易发热。也就是说它的那个漏电流比较小我们这有数据的至于么好处啊或者没有几乎没有。用三维的这个FinFET，它的漏电流比原来的两维的要小很多。所以它比较省电，而且集成度比较高。从14纳米开始，业界就开始采用FinFET的晶体管。
■网友
目前最先进的core i7和 Exynos 7使用的都是finfet
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