【电动汽车】ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。
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与IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一种能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车以及基础设施、环境/能源、工业设备领域的应用日益广泛。
ROHM在2010年开始在世界上第一次批量生产SiC MOSFET，成为SiC电源部件的领导者，ROHM领导着世界先进的产品开发。ROHM在汽车领域于2012年开始提供汽车产品，在电动汽车快速充电的汽车充电器领域拥有较高的市场份额，因此电动汽车的马达和逆变器的采用也在加速。
此次，ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC产品采用，与以往的OBC相比，新OBC所在单元的效率提高了1%（效率高达95.7%，功率损耗比以往降低约20%）。并且，这一先进的解决方案获得了UAES颁发的2019年度最佳技术进步奖。
未来ROHM将继续作为SiC电源组件的领导者，将继续扩展产品阵容，将控制iC等周边组件与模块化技术的优势相结合，从而提供有助于新一代汽车技术创新的电源解决方案。
＜关于联合汽车电子有限公司（UAES）＞
UAES是中国中联汽车电子有限公司和德国罗伯特保税有限公司合资企业的汽车行业一级综合供应商。该公司自1995年成立以来，在中国市场上，在发动机控制装置和燃料汽车动力总成业务领域获得了极高的市场份额，2009年以来开始为电动汽车领域开发包括主机逆变器在内的产品。使用
【 【电动汽车】ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器】http://www.uaes.com/servlet/portal/index.html
在大功率（高电压×大电流）范围中，与Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有“开关损耗和传导损耗*3小”、“抗温度变化能力强”等优点。得益于这些优点，当SiC MOSFET用于电动汽车的车载充电器和DC/DC转换器等产品中时，可降低功率转换时的损耗并实现散热部件的小型化，高频工作还可实现线圈小型化，从而有助于提高应用的效率、减少部件数量并缩减安装面积。
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＜术语解说＞
*1) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）
金属-氧化物-半导体场效应晶体管是FET中最常用的结构。用作开关组件。功率晶体管，同时具有
*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性。晶体管(如
*3） 传导损耗、开关损耗
MOSFET和IGBT)因组件结构而在使用时丢失。传导损失是指当电流通过组件(处于ON状态)时，受组件电阻组件影响而产生的损失。交换机损失是在组件通电状态(交换机运行时)转换时发生的损失。
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