晶体管工作原理晶体管原理 _小知识

晶体管原理(晶体管工作原理)
一、晶体管工作原理——简介
晶体管，英文名称为Transistor ，一般指所有基于半导体材料的单个元件，如二极管、三极管、场效应晶体管等。晶体管具有整流、检测、放大、稳压、开关等多种功能。它们具有响应速度快、精度高的特点。它们是手机、平板等现代电子电路标准化运行的基本构件，目前已得到广泛应用。

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二、晶体管的工作原理——分类
晶体管一般指所有半导体器件，包括n种，所以也有很多不同的分类方法。根据使用的材料不同，晶体管可分为硅晶体管和锗晶体管。根据极性不同，可分为NPN晶体管和PNP晶体管。根据结构和制造工艺的不同，可分为扩散晶体管、合金晶体管和平面晶体管；根据不同的电流容量、不同的工作频率和不同的封装结构，也可以分为不同的类型。然而，晶体管大多指晶体管，主要分为双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(场效应晶体管) 。接下来，我们将以BJT和场效应管为例说明晶体管的工作原理。

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三、晶体管的工作原理——双极晶体管
双极晶体管，英文名称为双极晶体管资源网络tor ，是双极结型晶体管的简称。因为它有三个端子，我们通常称之为三极管。三极管由两个PN结组成，分为发射极区、基极区和集电极区，对应产生发射极、基极和集电极三个电极。
三极管的工作原理是酱紫色。首先，电源作用于发射极结，使发射极结正向偏置，发射极区的自由电子不断流向基极区，形成发射极电流；其次，自由电子从发射极流向基区后，首先聚集在发射极结附近，但随着这里自由电子的增加，在基区内部形成电子浓度差，使得自由电子在基区逐渐从发射极结流向集电极结，形成集电极电流；最后，由于集电极结处的大反向电压，阻止了集电极区域中的自由电子扩散到基极区域，并且聚集在集电极结附近的自由电子被吸引到集电极区域以形成集电极电流。

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四、晶体管的工作原理——场效应晶体管
场效应晶体管(场效应管) ，英文名为Field Effect Transisto Resource Network R ，是通过控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道。接下来，我们将以N沟道结型FET为例，说明FET的工作原理。
对应三极管的基极、集电极和发射极， FET分别是栅极、漏极和源极。栅极和源极之间施加负电压，漏极和源极之间施加直流电压，保证FET资源网络能够正常工作。施加的负电压越大， PN结处形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小。相反，施加的负电压越小， PN结处形成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。因此，通过控制施加在栅极和源极之间的负电压来控制沟道电流。