内存条的时序是什么？ _内存

买内存条的时候我们经常看的是内存大小和频率高低，其实内存条参数里面还有一个叫时序的东西，你知道它是什么吗？

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内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS ，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24 。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T ，也写作2N、1N 。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。

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举例来说， DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz ，其时钟周期为1 ns 。基于这个1 ns的时钟， CL=7给出的绝对延迟为7 ns 。而更快的DDR3-2666（时钟1333 MHz ，每个周期0.75 ns）则可能用更大的CL=9 ，但产生的绝对延迟6.75 ns更短。现代DIMM包括一个串行存在检测（SPD）ROM芯片，其中包含为自动配置推荐的内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序）。注意：内存带宽是测量内存的吞吐量，并通常受到传输速率而非潜伏时间的限制。通过交错访问SDRAM的多个内部bank ，有可能以峰值速率连续传输。可能以增加潜伏时间为代价来增加带宽。具体来说，每个新一代的DDR内存都有着较高的传输速率，但绝对延迟没有显著变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常有着较上一代更长的延迟。即便增加了内存延迟，增加内存带宽也可以改善多处理器或多个执行线程的计算机系统的性能。更高的带宽也将提升没有专用显存的集成显卡的性能。

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而需要了解内存条时序的朋友注意了，我们现在就来讲讲内存条时序到底对内存条的性能有何影响。
1.CL：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长短）。（关于概念，我们还是点到为止，我们要讲的都是实在的。）
确实是同频率下， CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高， CL值也越来越大，但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大，内存条的CL延迟就越大，内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。

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【内存条的时序是什么？】
我们来计算一下DDR1-4的CL延迟时间：
DDR-400 3-3-3-8：（3*2000）/400=15 ns
DDR2-800 6-6-6-18：（6*2000）/800=15 ns
DDR3-1333 9-9-9-24：（9*2000）/1333=13.5 ns
DDR4-2133 15-15-15-35：（15*2000）/2133=14 ns
我们再来算算洛极内存条的CL延迟时间：
DDR4-2133 16-16-16-36:（16*2000）/2133=15 ns
CL延迟时间是不是差距不大呢？那为什么DDE4比DDR1-3性能好，当然是因为频率啊。DDR4频率比DDR1-3高。因此我们可以得出这个结论：CL值差不多的时候，频率越高的内存条性能就越好。我们也可以得出在延迟时间一定的时候，放宽CL有可能使得内存条超频到更高。所以我们在选同一代的DDR内存条时，只要CL值差距不大，那就甭管它，重要的是频率，谁的超频高，谁就牛B 。（其实这个道理是显而易见的，只是有的朋友太看重CL了。
2.tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值。
tRCD值对内存最大频率影响最大。内存条想要上到一个高的频率，而如果不能加大电压和放宽CL值，那么就只能把tRCD值增大。现在的DDR4一般的1.2V ，想要CL值好看，还想要内存条能超频到更高，那就加大tRCD咯，还想要灯光效果，那就把时序统统的加大。所以tRCD大不代表内存条差，相反代表内存条可以超到一个很高的频率。（是不是让那些喜欢时序都小得可怜的朋友有点失望了？）