宸恺科技|中心国际正式官宣！光刻工艺迎来新突破，高端芯片国产化不远了
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中芯国际的工艺突破
我国半导体产业发展 ， 大部分的资源都是偏向于芯片设计 ， 在芯片制造领域 ， 反而未能达到高端7nm ， 5nm级别 。
因为芯片制造的难度远远超过了芯片设计 ， 如果说芯片设计是“纸上谈兵”的话 ， 那么芯片制造就是把这些难度非常大的芯片设计图给制造出来 。 有时候拿不到好的光刻机设备 ， 是很难攻克高端芯片了 。
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有了高端光刻机还不够 ， 还要有技术 ， 不然就等于让一个刚学会用键盘的人去开发程序 ， 明摆着力不从心 。
而国内最大芯片制造商中芯国际已经在一步步向前迈进 ， 继N+1工艺完成流片和测试后 ， 这一次中芯国际正式宣布 ， 14nm工艺的良率达到了业内量产水准 。
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11月11日 ， 中芯国际发布了第三季度财报 ， 数据显示第三季度营收10.8 亿美元 ， 环比增长 15.3% ， 同比增长 32.6% 。 就在此次的财报业绩会上 ， 中芯国际表示14nm工艺自去年第三季度量产以来 ， 良率已经达到了业内的量产水准 。
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今年中芯国际的研发任务基本完成了 ， 包括客户对中芯国际的信心也在大大增加 。
此次中芯国际光刻工艺迎来新突破 ， 良率达到业内的水准 ， 是非常大的进步 。
中芯国际在取得出色营收成绩的同时 ， 也将14nm量产工艺提升到业内水平 。 据悉 ， 中芯国际是在去年第四季度才正式量产14nm 。
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虽然14nm和高端的5nm仍然有数代制程差距 ， 但14nm已经能满足生活中很多需求了 。 而且工艺突破的意义也是非常重要 。
首先第一个 ， 距离高端芯片更进一步 。 此前中芯国际等同于7nm的N+1工艺已经完成了流片和测试 ， 全IP国产化 。 N+1是中芯国际第二代14nm工艺 ， 比第一代14nm工艺提升了20%的性能 。
功耗降低了57% ， 逻辑面积缩小了63% ， SOC面积减少了55% ， 所以N+1是等同于7nm芯片的工艺水准 。
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如今第一代已经能稳定量产 ， 且达到业内水平 ， 而第二代也完成流片和测试 ， 可见距离高端芯片国产化不远了 。
第二个 ， 极大满足生活需求 ， 有望实现70%芯片自给率目标 。 高端芯片的市场范围主要是在电子消费产品上 ， 这部分的需求大概占据国内一成 ， 剩余的九成靠14nm都能满足 。
而且我国定下的70%芯片自给率也有望完成 ， 到时候就不会过度依赖国外进口芯片了 ， 因为我们可以自己造 。
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在芯片制造上 ， 中芯国际取得了重大工艺进展 ， 可能在未来5年内 ， 就能突破高端7nm工艺 ， 在未来10年 ， 进军5nm 。
国产芯片的路还很长 ， 虽然中芯国际今年的研发目标已经完成 ， 但距离成为世界一流水平 ， 显然还有一段路要走 。
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但这并不是问题 ， 台积电能成为世界领先 ， 也是用了33年世界 ， 英特尔成为世界巨头 ， 更是发展了52年 。 他们的例子告诉我们 ， 只有经得起时间的考验 ， 才能站到最后 。 中芯国际发展了20年 ， 就已经在现有的技术范畴内 ， 做到了业内水平 。
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