ITheat热点科技|美光正式推出第五代 3D NAND 堆叠层数达到176 层
北京联盟_本文原题：美光正式推出第五代 3D NAND 堆叠层数达到176 层
现在市面是的SSD都采用了3D NAND存储技术 ， 与2D NAND 相比 ， 3D NAND 能够实现更高的容量和性能、更低的功耗和成本 ， 这也是为什么众多厂商都在积极研发和推出更高层数的3D NAND产品 。 而全球闪存大厂美光近期宣告了自己最新的第五代 3D NAND闪存技术 ， 堆叠层数达到176 层 。
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美光176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s ， 高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s 。 与 96L NAND， 相比之下 ， 读写延迟降低了35% 以上 ， 与 128L NAND 相比 ， 降低了25% 以上 。 与使用 96L NAND的UFS 3.1模块相比 ， 美光芯片的总体混合工作负载降低了约15% 。
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美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产 ， 并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货 。
而其他厂商 ， 三星正在开发176层第七代V-NAND ， 计划明年4月实现量产 ， SK 海力士也正在进行176层3D NAND的研发 。 至于英特尔 ， 之前是计划在今年年底实现更高层数144层产品的量产 ， 但不知道英特尔出售闪存业务是否会影响到技术量产 。
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