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中芯国际霸气官宣！全面自主国产化：N+1芯片制造工艺成功流片

【10月14日讯】众所周知 ， 自从华为遭受到美国第二轮芯片禁令以后 ， 我国芯片制造技术便成为了最需要攻克的难题 ， 只有掌握了更好的芯片制造技术 ， 才能更能够让中国企业在未来科技战中 ， 拥有更大的优势可言 ， 而无需再担忧遭到“芯片断供”危机 ， 而我国技术最领先的芯片制造企业只有中芯国际一家 ， 中芯国际是国内目前唯一掌握了14nm芯片制造工艺技术厂商 ， 绝对是国产芯片最为重要的产业支柱 。
中芯国际霸气官宣！全面自主国产化：N+1芯片制造工艺成功流片
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虽然根据中芯国际所公布的数据显示 ， 14nm工艺水准已经可以满足绝大部分的芯片制造需求 ， 但相对于台积电、三星的5nm、7nm工艺水准 ， 显然中芯国际的14nm制程工艺 ， 是远远不够 ， 所以中芯国际也推出了新一代芯片制造工艺——N+1工艺 ， 但由于中芯国际N+1芯片制造工艺不够成熟 ， 一直都未能够实现量产 ， 终于在10月11日 ， 中芯国际再次传来了好消息 ， 那就是中芯国际FinFETN+1先进工艺获得突破 ， 根据芯动科技表示 ， 已经完成了全球首个基于中芯国际FinFETN+1先进工艺的芯片流片和测试 ， 并且实现了所有IP全面自主国产化 ， 功能测试一次性通过 ， 这意味着中芯国际FinFETN+1先进工艺已经具备了成熟量产的条件 。
中芯国际霸气官宣！全面自主国产化：N+1芯片制造工艺成功流片
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【中芯国际霸气官宣！全面自主国产化：N+1芯片制造工艺成功流片】根据中芯国际所对外公布的数据显示 ， 中芯国际FinFETN+1先进工艺 ， 和现在14nm工艺对比 ， 整体性能提升了将近20% ， 功耗降低了57% ， 逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% ， 整体工艺水平也是和台积电7nm工艺水准相差无几 ， 要知道中芯国际实现“7nm”芯片量产 ， 并没有使用到ASML的EUV光刻机 ， 这意味着中芯国际的芯片制造工艺水平已经更加自主化、更加先进 ， 未来国内芯片设计企业 ， 只需要将芯片设计图纸交给中芯国际就可以完成量产 ， 实现真正的“国产化” 。
中芯国际霸气官宣！全面自主国产化：N+1芯片制造工艺成功流片
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当然就在中芯国际取得了N+1工艺的突破前 ， 台积电也对外官宣 ， 目前正在朝着3nm芯片制造工艺 ， 2nm芯片制造工艺发起挑战 ， 所以中芯国际即便实现了7nm工艺芯片量产 ， 但未来依旧不能够松懈 ， 依旧还要不断地努力 ， 才能够让国产芯片制造水平更进一步 ， 为国产半导体生态链立下新功 ， 能够让更多的国产芯片企业 ， 避免遭受到“断供”危机 ， 为国产科技企业提供稳定、可靠的国产芯片产业链体系 。
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确实对于国产芯片产业链而言 ， 在国家不断地颁发优惠政策后 ， 我们国内的企业更是不断地将资源投入到国产芯片产业链中 ， 未来我们的国产芯片一定可以实现崛起 ， 打破国外芯片技术的垄断 ， 让国产芯片也能够朝着大规模量产高端芯片的目标迈进 ， 从而可以实现在2025年之前 ， 实现70%的国产芯片自给率目标；
中芯国际霸气官宣！全面自主国产化：N+1芯片制造工艺成功流片
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最后：对于中芯国际正式取得了更加先进的芯片制造工艺水平（媲美台积电7nm工艺） ， 不知道你们都有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论 ， 期待你们的精彩评论！


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