|「专利解密」Oclaro光子集成电路的电隔离技术
【嘉德点评】自从Lumentum合并 Oclaro之后 ， 它们的重点也放到了如何最大限度发挥光子集成等方向的研发力量 。
集微网消息 ， 在光器件领域 ， 不得不提到两大公司——Lumentum和Oclaro， 而且自从Lumentum合并 Oclaro之后 ， 它们的重点也放到了如何最大限度发挥光子集成等方向的研发力量 。
传统光子集成电路中的元件通过半导体光波导连接 ， 而未通过波导连接的元件 ， 往往通过深蚀刻的方法 ， 但通过这种方法实现的隔离会引起不必要的光学损耗和背反射 。
此外 ， 虽然注入可以解决上述问题 ， 但也不是实用的选择 ， 因为为了避免退火的影响 ， 该阶段必须在最终的外延生长阶段之后进行 ， 因此需要非常深的注入 ， 但这所需的离子能量非常昂贵并且与当前的掩蔽技术不兼容 。
为此 ， 在2017年年底Oclaro（奥兰若）申请了一项名为“光子集成电路的电隔离”的发明专利（申请号 201780080575 .0） ， 申请人为奥兰若技术有限公司 。
该专利提出的构造具有电隔离的光子集成电路的步骤在图1至图3中示出 。 其中图2是实施方式的步骤 ， 图1和3则是在构造的不同阶段的光子集成电路的层的横截面图 。
本文插图
图1 用于光子集成电路的波导结构的横截面图
图1是在实施电隔离过程之前的波导结构的初始层的截面图 。 在此阶段 ， 波导结构包括半绝缘衬底303、掺杂缓冲层302和核心层301 。 缓冲层具有第一类型(n型或p型)的掺杂剂 ， 而用于产生电隔离区域的第二类掺杂剂是p型 。
本文插图
图2是 电隔离方法的步骤流程图
图2是该专利提出的电隔离区域构造阶段的流程图 ， 该过程在如图1所示的波导结构上实现 。
首先选择作为电隔离区域的结构区域 ， 然后是将具有与缓冲层极性相反的第二类型的掺杂剂扩散到结构中 。 接着 ， 通过将电介质掩模施加到结构的核心层的表面来实现扩散 。 其中 ， 电介质掩模包括窗口 ， 该窗口对应于将要构造电隔离区域的区域上方的表面区域 。 最后就是继续扩散 ， 直到第二类型的掺杂剂已经穿透到半绝缘衬底 。
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图3 扩散过程完成后波导结构的横截面图
图3是扩散过程完成后波导结构的横截面图 。 其中的半绝缘衬底301、缓冲层302和核心层303如图1所示 。 相较于图1 ， 图3主要增添了锌掺杂的区域501 ， 该区域与其任一侧的区域一起提供npn阻挡结以提供电隔离 。
【|「专利解密」Oclaro光子集成电路的电隔离技术】以上就是Oclaro关于光子集成电路电隔离的专利介绍 ， Lumentum和Oclaro的并购 ， 会激发两个公司交叉领域的潜能 ， 那么在光器件领域是否再次上演“1+1>2”呢？让我们瞩目以待 。
（校对/holly）
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