纳米|台积电进一步抛离三星!2纳米获重大突破2024年量产

【纳米|台积电进一步抛离三星!2纳米获重大突破2024年量产】纳米|台积电进一步抛离三星!2纳米获重大突破2024年量产

台湾传媒报道 , 台积电(2330.TW)2纳米制程研发获重大突破 , 根据供应链消息 , 该公司2纳米制程将改为采用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构 , 而非3纳米与5纳米所采用的鳍式场效电晶体(FinFET)架构 。 业界预期 , 台积电2纳米制程可于2023年下半年进入风险性试产 , 2024年正式量产 , 推出后可望获苹果(美股代号:AAPL)、Nvidia(美股代号:NVDA)、高通(美股代号:QCOM)、AMD(美股代号:AMD)等大客户采用 。

中芯國際(981)進軍14納米製程時 , 便首度使用FinFET架構 , 台積電於先進四代的3納米製程亦沿用FinFET架構 , 市場相信這是為了方便用慣了FinFET架構的晶片設計商客戶縮短產品開發周期 。 然而 , 隨著半導體製程一路微縮 , 將面臨物理極限 , 不利「摩爾定律」延續 , 過往每18個月推進一個製程時代的步伐會受阻 。
不過 , 台積電今次的突破 , 令市場認為該公司未來朝1納米推進的可能性大增 , 進一步跑贏預計年底才投入5納米製程的三星 。
在考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件后 , 台积电2纳米制程改用全新的MBCFET架构 , 这个架构是建基于三星打算用于3纳米制程的环绕闸极场效电晶体(GAAFET)架构设计得来 , 采用新电晶体架构的考虑除了解决FinFET的物理极限外 , 还有其极紫外光(EUV)缩影技术已经提高 , 良率提升进度较预期顺利 。
业界认为 , 台积电2纳米良率及效能值得期待 , 推出即可望获苹果、Nvidia、高通、AMD等大客户采用 , 尤其Nvidia收购ARM后 , 未来将更仰赖与台积电合作 。
台积电总裁魏哲家日前表示 , 台积电制程每前进一个世代 , 客户产品速度效能增加30%至40% , 功耗可以降低20%至30% 。 此前 , 公司从未对外透露2纳米制程细节 , 仅表示2纳米制程将是全新架构 , 并宣布2纳米制程研发生产将落户台湾新竹 , 规划4个超大型晶圆厂 , 占地90多公顷 。


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