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|革命难以成功，同志更需努力：寡头垄断的千亿大盘是否有望破局

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半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业 ， 集成电路又分为逻辑、模拟、存储等细分行业 。 在半导体行业中 ， 最重要的方向莫过于存储器 。 其应用领域广泛 ， 几乎所有常见的电子设备都需要使用存储器 。

根据WSTS 2019年11月估计数据 ， 2019年全球半导体行业的整体规模在4000亿美元以上 ， 存储器的市场规模超过1000亿 ， 是半导体中规模最大的子行业 ， 占比超过1/4 。

DRAM：市场被寡头垄断 ， 本土企业有望破局DRAM是存储器市场规模最大的芯片 ， 主要应用于计算机、服务器和移动设备上 ， 2018年DRAM市场规模已超过1000亿美元 ， 2019年由于价格大幅下降以及服务器、手机等下游均出现同比下滑 ， 市场空间出现下降 ， 根据Trend Force数据统计 ， 2019年DRAM市场空间约621亿美元 。

其中DDR/LPDDR为DRAM的应用最广的类型 ， 两者合计占DRAM应用比例约90% 。
目前 ， DRAM芯片的市场格局是由三星、SK海力士和美光统治 ， 三大巨头市场占有率合计已超过95% ， 而三星一家公司市占率就已经逼近50% 。 寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力很低 ， 也使得DRAM芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一 。

现阶段 ， 国内DRAM芯片的先进厂商为合肥长鑫 ， 公司存储内存芯片自主制造项目宣布投产 ， 一期设计产能每月12万片晶圆 ， 目前已经实现对外供货 。 另外 ， 在DRAM芯片IP领域 ， 国内IP领先的芯动科技也已有所成 ， 拥有DDR5/4/LPDDR5/4 PHY&Controller全套内存接口解决方案 ， 同时在全球范围内率先发布并量产GDDR6 IP&GPU高带宽存储交互解决方案 。
DRAM：进入1z制程时代 ， 技术仍有差距DRAM的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度 。 制程工艺进入20nm之后 ， 制造难度大幅提升 ， 内存芯片厂商对工艺的定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或三代技术来提高存储密度 。 譬如 ， 1X/1Y/1Z是指10nm级别第一代、第二代、第三代技术 ， 未来还有1α/1β/1γ 。

目前市场上DRAM的应用较为广泛的制程是2Xnm和1Xnm ， 三星、美光、海力士等巨头厂商均已开发出1Znm制程的DRAM 。 国产DRAM厂商合肥长鑫现已量产的DRAM为19nm制程 ， 预计2021年可投产17nmDRAM ， 技术与国际先进的厂商还有较大的差距 。 但在DDR5/LPDDR5 IP环节 ， 国内厂商已实现了在三星、中芯国际、台积电、格芯等全球主流代工厂的5-22nm先进制程工艺上验证或流片、量产 ， 可以说已经走在全球先进DRAM芯片IP的最前列 。
DDR5：DDR系列性能持续优化 ， DDR5需求逐步增长DDR是双倍速率同步动态随机存储器 ， 在SDRAM(Synchronous DRAM)的基础上发展而来 ， 与SDRAM相比 ， 它可以在一个时钟读写两次数据 ， 使得数据传输速度加倍 ， 主要应用在个人计算机、服务器上 。
自2000年DDR1推出后 ， 20年内DDR系列已更新到了第五代 ， 主要发展方向为工作效率提升与工作电压降低 。

2018年至2020年 ， 海力士、美光、三星先后宣布完成DDR5研发 ， 国内产商方面 ， 澜起科技表示将在2020年内完成DDR5研发 ， 而芯动科技今年也已实现了自主DDR5 IP的量产商用 。 相比于DDR4 ， DDR5具有更高的带宽 ， 更快的速率 ， 更低的功耗 。 据固态技术协会(JEDEC) ， DDR5突发长度增加到BL16 ， 存储区技数增加至32 ， 为DDR4的两倍；最高速率可达4.8Gbps ， 是DDR4的150%；输入缓冲和核心逻辑的供电电压降低至1.1V 。

【|革命难以成功，同志更需努力：寡头垄断的千亿大盘是否有望破局】根据IDC预测 ， DDR5的需求将逐步增长 ， 在DRAM市场的占有率将于2021年达到25% ， 在2022年进一步上升至44% 。 尽管在供给端国内IP商已提供速率高至6.4Gbps的DDR5/LPDDR5解决方案 ， 需求端DDR5、LPDDR5应用的服务器、移动手机都在增长 ， 但供需双方尚未形成良好的内部循环体系 ， 需求侧惯性寻找国外技术 ， 供需资源和潜力没有得到充分发挥 ， 因此未来DDR5市场也将是国内内存厂商的重要方向 。


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