三星移动芯片技术更新：使用EUV技术，支持5G和AI功能
韩国三星电子公司宣布其已经开始批量生产16GBLPDDR5移动DRAM芯片 ， 这种芯片被标榜为有史以来第一款使用极紫外光刻技术(EUV)制造的存储器 。 除了给三星提供了相较于竞争对手的优势外 ， 这种技术还清除了在扩展DRAM方面的“主要发展障碍” ， 这可能会为整个行业提供更大的增长空间 。
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三星表示 ， 该公司在其位于韩国平泽的第二条生产线上批量生产16GBLPDDR5移动DRAM芯片 。 新款芯片以三星第三代10nm级(1Z)工艺为基础 ， 拥有最高的移动存储性能和最大容量 ， 让更多的消费者能够在下一代智能手机中享受5G和AI功能的全部好处 。
三星负责DRAM产品和技术的执行副总裁Jung-baeLee说：“基于1Z的16GBLPDDR5芯片会将业界提升到一个新的水平 ， 克服了先进节点DRAM扩展方面的主要发展障碍 。 我们将继续扩大我们的高级DRAM产品阵容 ， 并超越客户的需求 ， 因为我们在整个内存市场的增长中处于领先地位 。 ”
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三星的平泽工厂第二条生产线占地超过12.89万平方米 ， 相当于16个足球场的面积 ， 是迄今为止规模最大的半导体生产线 。 新的平泽生产线将成为业界最先进半导体技术的主要制造中心 ， 提供尖端的DRAM ， 随后是下一代V-NAND和代工解决方案 ， 同时加强三星在工业4.0时代的领导地位 。
基于当今最先进的(1Z)工艺节点 ， 三星新款16GBLPDDR5是第一款采用EUV技术批量生产的存储器 ， 可提供移动DRAM中可用的最高速度和最大容量 。 新的LPDDR5速度为6400Mbps ， 比当今大多数旗舰移动设备中的12GbLPDDR5的5500Mbps快约16% 。 这可以在一秒钟内传输大约10部5GB大小的全高清电影 ， 即51.2GB的数据 。
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由于使用了首个商用1Z工艺 ， 16GBLPDDR5封装比其前身薄了30% ， 这可能会导致手机变得更薄 ， 或者为电池和相机等组件提供更大空间 。 16GB的LPDDR5可以用8个芯片构建16GB的封装 ， 而其基于1Y的前身需要12个芯片(8个12Gb芯片和4个8GB芯片)才能提供相同的容量 。
通过向全球智能手机制造商提供第一个基于1Z的16GBLPDDR5芯片 ， 三星计划在整个2021年进一步加强其在旗舰移动设备市场的领先地位 。 三星将这款新内存芯片定位为旗舰级智能手机的理想之选 ， 包括其他竞争对手的手机 。 下一代智能手机很有可能会有相当大的空间来同时运行应用程序和执行要求苛刻的任务 。
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此外 ， 三星还将扩大其LPDDR5产品在汽车应用中的使用 ， 以提供更快、更强大的信息娱乐系统 ， 并在极端环境中满足严格的安全和可靠性标准 。
【来源：艾拜侦探社】
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