三星展示采用EUV的16GB移动RAM，更高带宽、更小体积
三星最近展示了其最新的移动RAM芯片 ， 这些芯片是使用EUV光刻技术制造 。 根据Engadget的报告 ， 三星已经开始生产其新的16GBLPDDR5移动RAM ， 这是首次使用EUV制造的产品 。
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EUV技术利用激光和光敏化学品蚀刻硅 。 这项发展是三星内存生产能力的突破 ， 这不仅使其在竞争者中脱颖而出 ， 而且清除了“重大的发展障碍” 。 换句话说 ， 这种进步为整个存储器行业打开了增长之门 。
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新存储芯片的带宽比以前的12GBRAM快16％ ， 现在 ， 改进的内存带宽高达6.4Gbps（相对于5,500Mb/s） ， 三星表示 ， 最新一代的内存可以在一秒钟内传输10部5GB的全高清电影 ， 也就是51.2GB的数据 。 而其大小也缩小了30％ ， 这在移动RAM市场上非常重要 ， 因为零件的缩小使智能手机制造商可以使其设备更纤薄 ， 或者为电池等其他组件提供更多的内部空间 。
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目前 ， 三星正准备在旗舰智能手机中提供这种新的RAM 。 我们很可能会看到三星推出具有这些芯片的新一代高端手机 。 该公司也可能将其推向竞争对手 。 值得注意的是 ， 三星还希望将这些新芯片引入汽车行业 ， 这可能会改善汽车的信息娱乐系统 。
【三星展示采用EUV的16GB移动RAM，更高带宽、更小体积】三星即将量产用于移动设备（例如即将推出的GalaxyS21手机）的第三代16GbLPDDR5存储芯片 。 利用其最先进的工艺节点（称为1z） ， 这是使用EUV光刻技术批量生产的16GbLPDDR5的第一个版本 。
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