芯片|北大助力华为弯道超车，碳基芯片问世，果真能解决中国缺芯之痛？
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不用光刻机就能生产芯片？北大实现石墨烯芯片 ， 将助力华为弯道超车
前言：目前全球芯片最新工艺制程的是5nm芯片 ， 台积电和三星都有了5nm工艺的生产实力 。 前段时间台积电公布了更加先进的4nm、3nm工艺 。 而3nm作为更新迭代的产品 ， 对芯片行业的发展产生了积极效应 ， 不仅能提升性能 ， 同时还能减少功耗 。 而伴随着芯片工艺制程的不断突破与发展 ， 未来5年硅晶晶体管的尺寸将达到极限 ， 因此很难再有大的突破 。 很多人不禁担心 ， 未来的芯片只能定格于1nm的硅晶芯片工艺吗？或许 ， 碳基芯片的问世为未来全球半导体行业的发展提供了新的方向 。
在半导体行业有一个很出名的定律叫摩尔定律 ， 其核心内容是集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过24个月便会增加一倍 。 简单来说 ， 每隔两年 ， 芯片的性能将会翻番 。
但是伴随着全球硅基芯片工艺制程的不断发展 ， 在未来的几年之内将会达到摩尔定律的极限 ， 因此很难再有大的突破 。 这同时意味着 ， 以代工闻名全球的台积电制造商在硅基芯片的发展上已经接近尾声 。 面对硅基材料的尺寸极限 ， 如何在下一个风口实现芯片发展的弯道超车 ， 我国北大科研团体给出了答案 。
不久前 ， 北京大学一支碳纳米半导体材料研究团队登上全球顶级学术期刊《自然·电子学》 ， 该课题组研发出一种可“抗辐射”的碳纳米管晶体管和集成电路、可用于航天航空、核工业等有较强辐照的特殊应用场景 。
其实早在今年5月份 ， 我国北京大学研究团队在制备碳纳米管方面取得了世界先进性成果 ， 有望把芯片制程推进3nm以下！
这意味着目前 ， 我国在碳基半导体领域已经突破了相关的技术 ， 或将成为半导体领域下一代的材料工艺 。
其实碳基芯片也被称为石墨烯芯片 ， 其主要成分就是石墨烯碳纳米管 ， 如果我国能在碳基半导体领域率先实现技术突破 ， 不仅仅可以帮助华为解决缺芯之痛 ， 还可以一举将我国的芯片水平提升到一流水平 。 因为用于生产碳基芯片的设备与硅基芯片的设备不同 。 目前 ， 生产碳基芯片的设备就是我们常说的光刻机 ， 但是碳基半导体不一定能用得着光刻机 。 也就是说 ， 我们完全可以摆脱光刻机对我国芯片的制约作用 ， 帮助华为实现弯道超车 。
如果碳基芯片可以正式商业化 ， 那么华为就可以完全摆脱外界对技术和设备的影响 。 它不仅可以完全独立 ， 而且可以运用在最前沿的科技产品身上 。
显而易见 ， 碳基芯片的技术发展成为饿了当下华为的最佳选择 ， 目前全球对此项技术都没有较大的突破 ， 而中国北大团队连续取得突破 ， 也标志着我国在碳基半导体领域的发展前景可观 。
【芯片|北大助力华为弯道超车，碳基芯片问世，果真能解决中国缺芯之痛？】当然 ， 任何事情都不是一蹴而就的 ， 更何况一种新兴的技术领域 ， 想要实现突破还是比较难的 ， 如果碳基芯片实现技术突破 ， 那么华为也将不再受到威胁 ， 对于华为来说这是一次机遇更是一次对赌 。
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