江苏龙网

  1. 首页 > 人文 > >

台积电|台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍

【TechWeb】8月25日消息 ， 据国外媒体报道 ， 正如外媒此前所预期的一样 ， 芯片代工商台积电在今日开始的全球技术论坛上 ， 披露了下一代先进工艺3nm的更多细节信息 。
2020年的台积电全球技术论坛 ， 是他们举行的第二十六届全球技术论坛 ， 论坛上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先进工艺方面的信息 ， 但在5nm工艺已经投产的情况下 ， 外界最期待的还是5nm之后的下一个全新工艺节点3nm工艺 。
在今天的论坛上 ， 台积电也披露了3nm工艺的相关信息 。他们的3nm工艺 ， 仍将继续使用鳍式场效应（FinFET)晶体管 ， 不会采用三星计划在3nm工艺节点上使用的环绕式闸极电晶体（GAA） 。
同第一代的5nm工艺相比 ， 3nm工艺将使芯片的性能提升10%到15% ， 能耗降低25%到30% ， 台积电方面承诺3nm工艺的晶体管密度将是5nm工艺的1.7倍 。
【台积电|台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍】外媒在报道中表示 ， 台积电的3nm工艺的晶体管密度 ， 将是第一代的7nm工艺的3倍 ， 可使芯片的能耗降低51% ， 性能提升32% 。
按计划 ， 台积电的 3nm工艺 ， 将在明年进入风险试产 ， 2022年下半年大规模量产 。


    推荐阅读


    上一篇：点点细雨| 肖战依然是翩翩少年，小翻领运动装内搭白色T恤，对镜甜笑帅翻了

    下一篇：中央纪委国家监委|赵长青：“我收钱，不躲不藏，直接存银行！”