行业互联网三星宣布全新IC封装技术，可用于5纳米芯片制造
数月前台积电和三星的芯片代工厂相继投产5 nm EUV工艺制程的芯片 ， 但三星在这几个月期间依旧在改进其IC封装技术 。 今天早些时候 ， 三星宣布其最新的X-Cube 3D IC封装技术已经可以投入使用 ， 该技术能提供更快的速度和更好的能源效率 。
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三星旗下的圆晶厂已经使用该技术进行了测试芯片的生产 ， 该技术可用于7 nm和5 nm工艺制程的芯片生产线 。 通过多个芯片的超薄堆叠 ， 可以制造更紧凑的逻辑半导体 ， 该工艺采用了通硅通（TSV）技术进行垂直电连接 ， 而不是使用导线 。 由于采用了TSV技术 ， 芯片中不同堆栈之间的信号路径大大减少 ， 提高了数据传输速度和能源效率 。 各种逻辑块、存储器和存储芯片可以相互堆叠 ， 以创造更紧凑的硅封装 。
这种堆叠封装的方式就像搭积木一样将芯片堆起来 ， 由原本的平面堆叠变为立体堆叠 ， 减少了芯片占用面积 ， 提高了芯片集成度 。
【行业互联网三星宣布全新IC封装技术，可用于5纳米芯片制造】值得一提的是 ， 此前台积电和英特尔都公布过自家的芯片3D封装技术 ， 技术原理上相似 ， 但是各家的方法并不相同 。 三星也表示将继续与全球的无晶圆半导体公司合作 ， 将该技术部署在新一代高性能芯片之中 。
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