中芯国际|中芯国际对比台积电：14nm工艺落后4年，7nm工艺落后3年
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中芯国际在中端芯片制造技术上可以与台积电拼一下 ， 但是上升到高端芯片制造上就不行了 ， 现在台积电稳步量产5纳米制程工艺的芯片 ， 预计在2021年下半年量产3纳米制程工艺定位芯片 。 而中芯国际的目前正在量产14纳米制程工艺的芯片 ， 接近于7纳米制程工艺的N+1和N+2也将于2021年年底试生产 。
与三星 ， 英特尔 ， 中芯国际不同的是 ， 台积电直接跳过了14纳米制程工艺 ， 16纳米制程工艺之后就是10纳米级别 。 基本上台积电的16纳米制程工艺与三星的14纳米制程工艺在2015年出现 ， 而中芯国际是在2019年底开始量产14纳米制程工艺芯片 ， 可见两者之间差了4年左右 。 也就是说中芯国际目前的实力相当于台积电2015年的实力 。 但是台积电的3纳米制程工艺也将于今年试生产 ， 一切顺利将在2021年正式量产 ， 而中芯国际的N+1和N+2工艺也将在2021年量产 。 也就是说中芯国际的14纳米制程工艺与台积电差了4年 ， 7纳米制程工艺差了3年 。 这么来看的话 ， 中芯国际的制程工艺与台积电的差距逐渐缩小 。
在7纳米以及之前的制程工艺不用EUV光刻机也行 ， 这些差距很容易被赶上来 ， 但是到了7纳米制程工艺以下 ， 5纳米 ， 3纳米就离不开EUV光刻机 。 不是说用DUV光刻机制造不出来 ， 主要是因为制造出来的过程太慢 ， 耗费资金太多 ， 根本上就划不来 ， 所以说工艺越往下探 ， 就对硬件设备的要求越高 ， EUV光刻机还是无法被取代 。
【中芯国际|中芯国际对比台积电：14nm工艺落后4年，7nm工艺落后3年】
如果说中芯国际无法得到ASML的EUV光刻机或者国内制造不出来EUV光刻机 ， 那么与台积电的技术水平又将被再次拉大 。 所以说这里面的关键主要就是EUV光刻机 ， 只要中芯国际可以得到以上任意一个光刻机 ， 那么其技术实力就不会被拉大 ， 而是会逐渐的缩小 。
当然芯片制程工艺的发展离不开设备的支持 ， 同样使用DUV光刻机的台积电就可以量产7纳米制程工艺 ， 而三星就做不到 ， 这就要剔除设备的因素 。 关键因素还是技术研发人员 ， 可以说LMS到了三星之后 ， 把三星的制程工艺提上去了 ， 到了中芯国际后 ， 短时间又把中芯国际的制程工艺提上去了 。 从此也可以看出 ， 在芯片制造上 ， 设备很重要 ， 人才同样很重要 。
现在中芯国际缺的不是人才 ， 而是缺乏设备 ， 想要追上台积电的步伐 ， 还得有必备的设备 ， 现在的中芯国际与台积电还是有不小的差距 ， 就等待国产EUV光刻机取得突破 。 只要国产EUV光刻机被制造出来 ， ASML会立刻向国内出售EUV光刻机 。 总而言之中芯国际与台积电还有数年的差距 ， 还需要继续努力的 。 当然EUV光刻机的制造难度很大 ， 即便是ASML也是集世界之大成技术才制造出来的 。
而芯片的也不只局限于硅基 ， 还有量子芯片 ， 碳基芯片等新兴芯片在研发之中 ， 在全力研发EUV光刻机时 ， 也要在以上这些芯片领域发力 ， 争取在新的芯片上赶上国际先进水平 。
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