光刻|光刻技术略有突破后，网友大呼拯救华为，中科院无奈被迫删除文章
近日中科院官网报道 ， 我国科研人员发表一种可进行5纳米超高精度激光光刻加工方法的论文 ， 而此前荷兰ASML公司则表示全世界拥有7纳米以下的光刻技术只能采用自家EUV 。 这是否意味着中国将打破西方的光刻技术封锁？其实不然 ， 目前此技术还只停留在实验室中的研发阶段 ， 而想要量产任重道远 ， 并且真正运用于光刻机中也并非单项技术可以解决 。 所以还要理清思绪 ， 不能被一些自吹自大的言论带偏节奏 。
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在论文中可以得知该团队拥有完整知识产权的激光直写技术 ， 激光直写是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光 ， 显影后在抗蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓 ， 我国团队正是在此技术上做出重要的突出改革 。 光刻机分为接触光刻机、接近光刻机、投影光刻机和三束直写光刻机 ， 接触与接近虽然价格相对便宜 ， 但有着使掩膜版受损、污染和分辨率略低等缺陷 。 而投影光刻机设备昂贵 ， 系统还非常复杂 ， 其后续的保养与维护也是相当的一笔费用 。
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而此次所研究的直写光刻机不需要昂贵的掩膜版 ， 灵活性与分辨率都很高 ， 不过传统劣势是生产效率极低 ， 无法用于规模化的生产 。 不过此次我国科研人员的研究发现一种新型三层堆叠薄膜结构 ， 可采用双激光束交叠技术达到最小5纳米的特征线宽 ， 最重要的则是实现纳米狭缝电极阵列结构的大规模制备 。 常规制备一个纳米狭缝电极需要10-20分钟 ， 而采取这种新的激光直写技术 ， 一小时可制备5x10五次方个纳米狭缝电极 ， 打破直写激光技术不可大规模生产的桎梏 。
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【光刻|光刻技术略有突破后，网友大呼拯救华为，中科院无奈被迫删除文章】中科院目前网站上已经找不到这篇论文 ， 这主要是因为不少网民对于光刻机话题过于敏感 ， 纷纷抱着“打破西方技术封锁”、“拯救华为”等旗号疯狂转载 ， 产生一种不冷静、不客观的情绪来看待这项学术成果 。 直写激光不能直接对芯片进行加工 ， 只是光刻机中的一部分 ， 而且想要融入还任重道远 。 不过客观上确实使国产光刻向前迈进一大步 ， 也是不争的事实 。
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