科学家研发2D金属芯片：让储存速度提高100倍
（_本文原始标题：科学家研制2D金属芯片：让储存速度提高100倍）
科学家正在努力 ， 希望开发出下一代数据存储材料 ， 以提高现有存储速度 。
据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究 ， 一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维（2D）金属芯片 ， 其厚度仅三个原子 ， 其可代替硅芯片存储数据 ， 且比硅芯片更密集、更小、更快 ， 也更节能 ， 同时储存速度提高了100倍之多 。
研究人员对二碲化钨薄层结构施加微小电流 ， 使其奇数层相对于偶数层发生稳定的偏移 ， 并利用奇偶层的排列来存储二进制数据 。 数据写入后 ， 他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性 ， 在不干扰排列的情况下读取数据 。
与现有的基于硅的数据存储系统相比 ， 新系统具有巨大优势——它可以将更多的数据填充到极小的物理空间中 ， 并且非常节能 。 此外 ， 其偏移发生得如此之快 ， 以至于数据写入速度可以比现有技术快100倍 。
【科学家研发2D金属芯片：让储存速度提高100倍】对超薄层进行非常小的调整 ， 就会对它的功能特性产生很大的影响 ， 而人们可以利用这一知识来设计新型节能设备 ， 以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式 。
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