QLC 闪存三星 870 QVO SSD 拆解探秘：缓存外写入速度惨不忍睹
一年半之前 ， 三星发布了旗下首款消费级QLC闪存SSD860QVO ， 现在第二带来了 ， 它就是870QVO 。
虽然很多人对于QLC闪存非常抗拒 ， 但正如之前的TLC ， 这是不可逆转的趋势 ， 只能慢慢接受 ， 当然厂商在涉及产品的时候也会有相应的权衡 ， 比如QLC闪存初期就不会用于高性能NVMeSSD ， 而是主打主流大容量 ， 三星870QVO就是SATASSD ， 而且首次做到了8TB 。
870QVO的诚意还是满满的 ， 比如V-NAND闪存从64层升级到92层 ， 单Die容量1Tb ， 只需八颗就能组成一颗1TB容量的闪存芯片 ， 同时主控也从MJX升级到MKX ， 不过并未公布任何技术更新、固件变化 ， 相信只是一次小更新 。
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下边先看看拆解图 ， 再了解一下性能 ， 尤其是缓存之外的写入性能 。
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左右分别是4TB、1TB的电路板正反面 。 很显然 ， 1TB、2TB只需一颗和两颗闪存芯片 ， 再加一颗主控、一颗缓存就搞定了 ， 所以PCB非常短小精悍 ， 1TB的留了个空焊位 。 4TB的正反各两颗闪存芯片 ， 补上四个空焊位那就是8TB 。
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即便是4TB、8TB的电路板 ， 放在标准的2.5寸盘体内 ， 也是很小巧 。
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这是三星MKX主控和LPDDR4缓存 。
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870QVO系列的详细规格 ， 1/2/4/8TB型号分别搭配1/2/4/8GBLPDDR4缓存 ， 同时还设置了SLC缓存以提升性能 ， 2/4/8TB的都有78GB ， 1TB则只有42GB 。
【QLC 闪存三星 870 QVO SSD 拆解探秘：缓存外写入速度惨不忍睹】在写入的时候 ， 一旦用完这些SLC缓存容量 ， 就会回归到QLC的本质 ， 性能自然大大降低 ， 1TB的落差尤其巨大 。
根据官方数据 ， 870QVO系列的持续读取速度都是560MB/s ， SLC缓存下的持续写入都是530MB/s ， 但是QLC闪存下 ， 2/4/8TB型号的持续写入会降至160MB/s ， 1TB的更是只有80MB/s 。
随机性能方面 ， 1TB的读取也不受影响 ， 但是写入损失比较大 ， 尤其是QD32队列深度的时候 ， 随机读写会分别降低40％、48％ 。
寿命上倒是保持一致 ， 都是每天0.33次全盘写入 ， 质保五年 ， 最大写入量360TB、720TB、1440TB、2880TB ， 而一般的消费级QLCSSD只有每天0.1-0.15次 ， 即便是五年质保写入量也不如870QVO 。
AnandTech已经对870QVO进行了详细的测试 ， 其他没什么意外 ， 这里只看看缓存内外的写入情况 。
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QD32队列深度 ， 128KB数据块 ， 缓存内持续写入速度都可以达到标称的530MB/s左右 ， 而在缓存耗尽之后 ， 速度瞬间就跌了下来 ， 1TB80MB/s左右 ， 4TB164MB/s左右 ， 同样完美符合标称 。
好消息是 ， 缓存耗尽之后 ， 写入速度一直非常稳定 ， 直到完全填满都没有再变化 。
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