充电头网太猛了！魅族65W氮化镓充电器内置9颗真茂佳MOS
近日 ， 魅族发布了一款65W三口氮化镓快充充电器 。 据了解 ， 这是目前手机品牌中首款基于国产氮化镓功率器件开发的GaN充电器 ， 对国产氮化镓快充技术的发展起到了积极地推动作用 。
此外 ， 充电头网通过拆解还了解到 ， 深圳真茂佳半导体有限公司也是魅族65W三口氮化镓充电器主力供应商 ， 该产品内置了9颗真茂佳ZM062N03M MOS管 。
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魅族65W三口氮化镓充电器
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充电头网通过拆解分析得知 ， 魅族65W氮化镓快充充电器内部采用开关电源+DC-DC二次降压输出架构 ， 开关电源部分采用英诺赛科InnoGaN开关管 ， 二次降压部分设有三路独立输出 ， 每一路输出均采用了三颗真茂佳MOS ， 一共9颗 。
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魅族65W三口氮化镓充电器的两路USB-C输出配置完全一致 ， 每一路设有三颗真茂佳ZM062N03M ， 其中两颗用于配合南芯SC8002实现降压输出 ， 另外一颗则作为VBUS开关管 。
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USB-A口同样采用了三颗真茂佳ZM062N03M ， 两颗配合降压输出 ， 另一颗用作VBUS开关管 。
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从产品规格书中可以看到 ， 真茂佳ZM062N03M一款30V的NMOS管 ， 具有极低的RDS(ON) ， 是负载开关和电池保护应用的理想选择 。 此前该型号MOS就已被优胜仕18W 1A1C USB PD快充充电器采用 ， 并获得良好的客户反馈；本次获得魅族氮化镓快充供应链的认可并成为其主力供应商 ， 也进一步佐证了真茂佳MOS优良性能 。
关于真茂佳
深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向技术领先的功率半导体国家高新技术企业 。 创始团队具有20年以上的半导体制造管理、市场开发经验 ， 核心研发人员均拥有至少15年以上功率半导体器件的设计经验；其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发 ， 也是国际上少数最早参与车用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的设计人员之一 。
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【充电头网太猛了！魅族65W氮化镓充电器内置9颗真茂佳MOS】公司基于汽车功率半导体器件平台技术打造高可靠性产品 ， 目前主要产品有沟槽MOSFET（20-200V）、SGT MOSFET（30-150V）、超级结MOSFET（600-900V）、集成快恢复二极管MOSFET（500-600V） 。
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