三星宣布扩产！平泽NAND新产线2021下半年投入量产
6月1日消息 ， 三星电子宣布计划扩大其在平泽市的NAND生产能力 ， 以增强其满足新兴技术需求的能力 。 该扩建工程将在今年5月动工 ， 计划在2021年下半年开始量产三星先进的V-NAND存储芯片 ， 以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求 。
三星电子存储器全球销售与市场部执行副总裁CheolChoi表示 ， “这项新投资重申了我们致力于保持存储技术领域领先地位的承诺 ， 即使在市场面临极大的不确定时依然如此 。 我们将继续以最优化的解决方案为市场服务 ， 同时为整个IT行业和整体经济的增长做出贡献 。 ”
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【三星宣布扩产！平泽NAND新产线2021下半年投入量产】在人工智能 ， 物联网和5G扩展推动下 ， 催生出海量大容量存储需求 ， 三星电子积极布局 ， 增加投资 ， 是为保证其在未来市场竞争中保持领先地位 。
目前 ， 三星电子NANDFlash生产线主要分布在韩国华城、平泽以及中国西安 。 其中 ， 西安二期工厂和平泽P2工厂在积极扩建中 。 近期 ， 三星包机派遣200多名扩建所需技术人员赴西安 ， 加速推进西安工厂扩建工作 。
平泽P2工厂作为NANDFlash和DRAM的混合产线于今年五月份安装设备同时建设极紫外光刻（EUV）生产线 ， 计划生产先进的DRAM 。 而此次扩产是针对NANDFlash产线 。
在NANDFlash投入上 ， 除了在产能上持续投资之外 ， 三星也正在加快先进制程的过渡 ， 于今年三月份宣布将在平泽P1产线由第五代V-NAND更新为最先进的第六代V-NAND（100+层） ， 西安二期产线量产第五代V-NAND ， 以完全满足高端市场存储需求 。
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