澎湃新闻北大排列高密度半导体碳纳米管，电子学性能超同尺寸硅基器件( 二 )
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高性能碳纳米管晶体管
碳基集成电路刚起步
论文在结尾部分展望 ， 未来需在更大尺寸（如8英寸晶圆）上应用 ， 且需进一步提纯 。
张志勇向****透露 ， 目前课题组实际已经实现了在8英寸晶圆上制备 。 这是一种可以量产的技术 ， 且在快速成长 。
在纯度方面 ， 目前碳纳米管的半导体纯度达到了99.9999%,但是对于极大规模集成电路应用来说 ， 还需要再提升2-3个数量级 。 “进一步的提纯会增加工艺步骤 ， 降低产量 ， 而且如何表征这么高的纯度 ， 都存在挑战 ， 需要采用工程的方法克服这些挑战 。 ”他说道 。
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高性能碳纳米管晶体管
张志勇认为 ， 该成果首次在实验上显示了碳纳米管器件和集成电路相对于传统技术的性能优势 ， 为推进碳基集成电路的实用化发展走出第一步 。
他表示 ， 在加工技术没有太高成熟度时 ， 碳基芯片 ， 可以作为硅基芯片的补充 ， 增强硅基芯片的功能或者性能 ， 或者用于某些特殊场合 。 一旦技术成熟 ， 碳基芯片有可能发展出完整的应用领域 ， 并在主流计算领域发挥重要影响 。
论文第一作者为北京大学电子系博士研究生刘力俊和工程师韩杰 ， 张志勇和彭练矛为文章的共同通讯作者 ， 湘潭大学湖南省先进传感与信息技术创新研究院、浙江大学、北京大学纳光电子前沿科学中心等单位相关研究人员亦参与合作 。
该研究得到国家重点研发计划“纳米科技”重点专项、北京市科学技术委员、国家自然科学基金委等项目资助 。 (本文来自**** ， 更多原创资讯请下载“****”APP)
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