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石墨烯联盟第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状( 四 )



石墨烯联盟第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状
本文插图

图8 AlN作为过渡层的微观形貌
2. Si 衬底上GaN 基异质结构的外延生长
目前 ， GaN 基电力电子器件的成本与Si 器件相比仍然非常昂贵 。 解决成本问题的唯一途径是利用Si 衬底外延制备GaN 基异质结构 ， 然后利用互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor ， CMOS）技术制备GaN 基器件 ， 使器件的性价比超过Si 器件 。 但与SiC 和蓝宝石衬底相比 ， Si 衬底外延GaN 要难得多 。 GaN（0001）与Si（111）的晶格失配率高达16.9% ， 热膨胀系数失配（热失配）高达56% 。 因此 ， Si 衬底上GaN 的外延生长及其异质结构在应力控制和缺陷控制方面面临着严峻的挑战 。
外延层材料的晶格常数差异 ， 会导致Si 和GaN 外延层界面处的高密度位错缺陷 。 在外延生长过程中 ， 大多数位错会穿透外延层 ， 严重影响着外延层的晶体质量 。 但由于两层热膨胀系数不一致 ， 高温生长后冷却过程中整个外延层的内应力积累很大 ， 发生翘曲并导致外延层开裂 。 随着衬底尺寸的增大 ， 这种翘曲和开裂现象会越来越明显 。
目前 ， 插入层和缓冲层被广泛应用于解决Si 衬底上GaN 异质外延的应力问题 ， 目前主流的3 种应力调节方案如图9 所示 。

石墨烯联盟第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状
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图9 目前主流的3种应力调节方案
（a）低温AlN插入层结构；（b）GaN/AlN超晶格结构；（c）AlGaN缓冲层结构
插入层技术是引入一个或多个薄层插入层来调节外延层的内应力状态 ， 平衡在冷却过程中由热失配和晶格失配引起的外延层的拉应力 ， 目前采用低温AlN 作为插入层来调节应力状态 ， 如图9（a）所示 。
缓冲层技术提供了压缩应力来调整外延膜中的应力平衡 ， 目前常用的是AlGaN 梯度缓冲和AlN/(Al)GaN 超晶格缓冲 ， 如图9（b）、（c） 所示 。 上述方法都能提供压应力来平衡Si 基GaN 的拉应力 ， 使整个系统趋于应力平衡 。 当然 ， 这些方法不能完全解决应力问题 。 缓冲层的应力调节机制尚不明确 ， 有待于进一步探索和优化 。
另外 ， 还有报道采用表面活化键合（SAB）的低温键合工艺将GaN 层转移到SiC 和Si 衬底上 ， 在室温下直接键合制备GaN-on-Si 结构和GaN-on-SiC 结构 ，通过氩（Ar）离子束源对晶圆表面进行活化 。 在表面活化后 ， 两片晶圆将被结合在一起 。 与Al2O3（蓝宝石）和SiC 衬底上生长的异质外延层的质量相比 ， Si 衬底上GaN 基异质结构的质量和电性能仍有很大差异 。 特别是Si 衬底上GaN 外延层存在残余应力和局域陷阱态 。 这些应力和缺陷控制问题没有从根本上得到解决 ， 导致材料和器件的可靠性问题尤为突出 。 因此 ， 如何在高质量的Si 衬底上制备GaN 基异质结构仍是该领域的核心问题之一 。
结束语
高频、大功率、抗辐射、高密度集成宽禁带半导体电子器件的研制 ， 需要优良的材料作基础支撑 。 高品质的SiC和GaN 器件需要利用外延材料制备有源区 ， 因此 ， 低缺陷衬底和高质量外延层对器件性能起着至关重要的作用 。 近年来 ， SiC 和GaN功率器件的制造要求和耐压等级不断提高 ， 对衬底和异质结构（GaN-on-SiC、GaN-on-Si）的缺陷密度及外延薄膜内部的应力平衡状态都提出了更高的要求 ， 目前通过利用AlN 作为过渡层、超晶格缓冲层等提供压应力 ， 进而调节外延层的内部应力以平衡状态 ， 未来对应力调控尚有大量的工作需要进行探索和优化 。
【石墨烯联盟第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状】来源：中国半导体照明网


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