博通扩展与新思科技在7纳米及5纳米设计方面的合作
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全球TMT2020年4月23日 ， 新思科技近日宣布与博通(BroadcomInc.)扩展合作 ， 助力博通基于FusionDesignPlatform?开发半导体解决方案 ， 以解决7纳米及7纳米以下的一系列设计难题 。
在7纳米设计多个成功经验的基础上 ， 博通与新思科技进一步合作 ， 部署了包括基于FusionDesignPlatform进行的5纳米芯片设计 。 博通通过整合新思科技的工具、流程和方法 ， 从最新的芯片工艺产品中获得最大的收益 ， 并有效地为客户提供价值 。
FusionDesignPlatform旨在帮助设计团队以最收敛的方式实现最佳的功耗、性能和面积(PPA) ， 来确保最快和最可预测的成果时间(TTR) 。 FusionDesignPlatform跨越了测试插入和优化、RTL综合、布局布线以及设计的收敛和signoff ， 是一种高度融合的解决方案 。 FusionDesignPlatform使可预测PPA达到了新的水平 ， 从而解决了业界芯片设计的固有挑战 。
【博通扩展与新思科技在7纳米及5纳米设计方面的合作】新思科技FusionDesignPlatform的主要产品和功能包括：
FusionCompiler?RTL-to-GDSII解决方案：高度优化的全流支持 ， 提供最佳设计可布线性和收敛以及最短的获得结果的时间(TTR)
ICCompiler?II布局和布线：EUV单曝光布线 ， 提供优化的5LPE设计规则支持、单鳍单元多样化感知摆放合法化(singlefinvariant-awarelegalization) ， 以及过孔装订(viastapling) ， 确保获得最大的利用率和最小的动态功耗
DesignCompiler?NXTRTL综合：结果的相关一致性、布线拥塞减少、感知引脚访问的优化、5LPE设计规则支持以及提供给ICCompilerII的物理指导
PrimeTime?时序signoff：近阈值超低电压变异建模 ， 过孔变异建模以及感知布局规则的工程变更指令(ECO)指南
StarRC?寄生参数提取：支持基于EUV单曝光的布线 ， 以及新的提取技术 ， 如基于覆盖的过孔电阻和垂直栅极电阻建模
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