构建多种电子器件，研究团队提出铁电极化场对低维半导体材料精准掺杂新方法
集微网消息 ， 近日 ， 中国科学院上海技术物理研究所研究人员与复旦大学、南京大学、华东师范大学及中科院微电子研究所的相关团队通力合作 ， 提出了利用非易失性的铁电极化场对低维半导体材料的精准掺杂的新方法 。
据悉 ， 研究人员利用该方法构建了多种新型功能的电子和光电子器件 ， 相关研究成果相继在《自然-电子学》和《先进材料》等期刊公开发表 。
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【构建多种电子器件，研究团队提出铁电极化场对低维半导体材料精准掺杂新方法】相关研究人员提出两种利用铁电极化调控构建低维半导体光电器件方法 。
一、通过纳米探针技术极化铁电薄膜 ， 进而调控其覆盖的低维半导体 。 加正向电压 ， 极化向下 ， 半导体材料中注入电子；加负向电压 ， 极化向上 ， 半导体材料中注入空穴 。 该方法的特征在于器件图案可任意编辑、可擦除重新写入、掺杂区域的空间尺寸精确 ， 基于此方法研究人员构建了p-n结、BJT晶体管及新型存储等器件 。
二、构建裂栅结构 ， 通过固态电极施加电压极化铁电薄膜 ， 进而调控顶层低维半导体 。 该方法特点是实现了固态结构 ， 极化充分 ， 器件性能及稳定性更佳 。
运用上述两种技术途径 ， 皆可实现结型光电探测器及光伏器件 ， 器件探测波长可覆盖可见-短波红外波段 。
上述工作提出的铁电极化场调控低维半导体载流子的方法 ， 为低维半导体功能化应用提供了新技术途径 。 （校对小如）
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