[]长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片研发成功

网易科技讯 4月13日消息，长江存储今日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
长江存储表示， X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片X2-9060 ，以满足不同应用场景的需求。
据了解，每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面， X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。
长江存储表示，公司用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。
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