『英特尔』英特尔介绍Foveros封装技术：大幅降低成本，提升产品上市速度
IT之家4月11日消息 在日前举行的英特尔年度战略“纷享会”上 ， 官方介绍了其先进封装技术 。 英特尔表示目前有两种封装技术可以使用 ， 一是EMIB ， 另外就是Foveros 。
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英特尔中国研究院院长宋继强表示 ， EMIB可以想象是在一个水平层有很多种不同功能的芯片 ， 但并不是互相之间拉很多线进行连接 ， 而是通过EMIB 。 只有一个米粒大的芯片嵌入其中 ， 提供高带宽、低功耗的连接 ， 这是一个2.5D的封装技术 。
【『英特尔』英特尔介绍Foveros封装技术：大幅降低成本，提升产品上市速度】Foveros技术则是在盖高楼 ， 在垂直方向上用好几种新的技术让它提供高带宽、低功耗的芯片连接 。 英特尔Foveros 3D堆叠封装技术 ， 可以通过在水平布置的芯片之上垂直安置更多面积更小、功能更简单的小芯片来让方案整体具备更完整的功能 。 官方表示 ， 除了功能性的提升之外 ， Foveros技术对于产业来说最迷人的地方在于他可以将过去漫长的重新设计、测试、流片过程统统省去 ， 直接将不同IP、不同工艺的各种成熟方案封装在一起 ， 从而大幅降低成本并提升产品上市速度 。
IT之家了解到 ， 去年7月份 ， 英特尔还推出了将EMIB和Foveros技术相结合的创新应用技术——Co-EMIB 。 Co-EMIB技术可以理解为EMIB和Foveros两项技术的结合 ， 在水平同物理层互连和垂直互连同时 ， 实现Foveros 3D堆叠之间的水平互连 。 这样以来不管是2D水平互连还是3D堆叠互连 ， 单片与单片之间都可以实现近乎于SoC级高度整合的低功耗、高带宽、高性能表现 ， 为芯片封装带来绝佳的灵活性 。
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