NAND flash 信号线的理解
上一篇我们已经讲了NANDflash的分类 ， 这一篇介绍NANDflash的硬件接口 。 例如
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由NANDFlash的原理图封装 ， 然后查看芯片手册 。
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【NAND flash 信号线的理解】由图可知：IO0-IO7:既可传送数据也可传送地址 ， 也可以送传命令 。 那到底是读是写 ， 还是擦除？怎么区分IO0-IO7传送的是数据？地址？命令？那么就需要通过CLE与ALE的状态来区分了 。
假如2440要读取A地址的数据 ， 或将数据写入B地址 。 当CLE为高电平表示IO0-IO7传送的是命令；当ALE为高电平表示IO0-IO7传送的是地址；当ALE与CLE都为低电平的时候 ， 表示IO0-IO7传送的是数据 。
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CE：片选 。 当2440要操作访问Nand的时候 ， 首先必须选中 。
RE:读信号 ， 当RE为低的时候 ， 表示数据由Nand流向2240
WE:写信号,当RE为低电的时候 ， 表示数据由2240流向Nand；
WP:写保护,只能写 ， 不能擦除 。
R/B:Ready信号 ， 表示NandFlash烧写完成
这些引脚具体怎么组合起来的 ， 需要查看手册中的时序图 。
发（写）命令的时序图：
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首先CE发出片选信号 ， CLE发出高电平 ， IO0-7将命令驱动出去 ， WE写脉冲 ， 在写脉冲的上升沿 ， Nandflash在上升沿 ， 将IO0-7中数据读取出来 。
发地址的时序图：
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CE片选,ALE由低变高 ， IO0-7驱动数据 ， WE发出写脉冲 。
输入（写）数据的时序图：
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CE选中 ， ALE、CLE低电平 ， 2440IO0-7驱动数据 ， WE写信号 ， Nandflash根据ALE、CLE低电平 ， 读取数据 。
输出（读）数据的时序图：
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CE低电平选中 ， RE由高变为低（Nandflash收到RE由高变低时 ， 马上准备数据 ， 然后在RE的上升沿将数据发送出去） ， Nandflash驱动数据到IO0-7 ， 在上升沿 ， 2440取数据 。
2440这些引脚发出的数据 ， 必须满足Nandflash的时序要求 。 需要查看2440芯片手册 ， 查看设备哪个寄存器的某些位来控制时序
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