长江存储刚突破128层3D NAND，三星就开发超160层V 近日

与非网4月20日讯，近日，据韩国媒体报道，三星目前正在开发具有160层或更高层的第7代V-NAND快闪存储器，并且在相关技术方面已经取得重大进展。
当前， 3DNANDFlash快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为128层，而如果报道属实的话，三星所研发的更高层数的快闪存储器将是一次突破。

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图源：TheDailyDot
另外，报道还指出，三星的第7代V-NAND快闪存储器将采用“双堆叠”的技术来达到更多堆叠层的目的。就现阶段来说，如果完成160层堆叠的V-NAND快闪存储器开发，将成为业界最高堆叠层数的产品。
在存储器产业中，当下的存储器均称为3DNANDFlash的快闪存储器，而三星则正在研发V-NAND快闪存储器，从名字来看就是下一代的产品。另一方面，堆叠层数的多少是3DNANDFlash快闪存储器厂商的核心竞争力，而目前三星是被公认为业界技术最先进的厂商。这一方面也是无需质疑的，一个证据就是，三星在2019年以166.7亿美元(约20万亿韩元)的营收，在全球3DNANDFlash快闪存储器市场上成为龙头，市占率达到35.9% 。
【长江存储刚突破128层3D NAND，三星就开发超160层V】而从客观上来讲，尽管新冠肺炎疫情爆发严重，但是三星仍在继续进行存储器生产与研发的投资，并没有停产或者受到影响，还进一步对西安的NANDFlash快闪存储器工厂进行扩产，可以说是不降反增。
不过这并不是唯一的研发报道，有消息称，除了三星之外，韩国另一个存储器大厂SKHynix也在宣布了160层或更高层堆叠的3DNANDFlash快闪存储器开发与生产规划。对于我们消费者而言，技术当然是越先进越好，发展越快越好。而对于三星而言，这次研发能否让其脱颖而出，还有待市场的检验。

长江存储刚突破128层3D NAND，三星就开发超160层V

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