铠侠：铠侠宣布出样UFS 3.1闪存：最大1TB、写速是UFS 3.0两到三倍
昨日 ， iQOO 3 5G首发UFS 3.1闪存 ， 调试信息显示芯片颗粒来自三星 。
事实上 ， 上周西部数据也推出了符合JEDEC最新规范的UFS 3.1闪存 ， 品名iNAND MC EU521， 引入第六代SmartSLC缓存技术 ， 写速最高可达800MB/s ， 且号称容量满载时也不掉速 。
本周 ， 铠侠（KIOXIA ， 原东芝存储）宣布开始出样UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片 。
新闪存基于东芝BiCS 3D存储技术打造 ， 设计容量包括128GB、256GB、512GB和1TB ， 比西数EU521丰富 ， 主控和闪存都按照规范要求封装在11.5 x 13mm的尺寸之内 。
关于性能 ， 铠侠未给出具体数据 ， 但表示写速是UFS 3.0的2~3倍 ， 连续读速比UFS 3.0提升30% ， 引入HPB改善随机读取性能 ， 睡眠模式下功耗更低 ， 温度过高时可主动降低性能避免损坏元件 。
铠侠指出 ， 东芝是最早在2013年推出UFS的厂商 ， 去年也是第一波提供UFS 3.0产品的企业 。
【铠侠：铠侠宣布出样UFS 3.1闪存：最大1TB、写速是UFS 3.0两到三倍】
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