【速度】三星量产512GB UFS 3.1手机闪存：写入速度3倍于UFS 3.0
DoNews 3月17日消息（编辑 叶辰） 三星今日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片 ， 其连续写入速度超过1.2GB/s ， 是其前代产品写入速度的3倍 。
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三星方面表示 ， 与前代产品、固态硬盘及MicroSD卡相比 ， eUFS 3.1芯片将为智能手机提供更快的数据传输体验 。 新eUFS 3.1芯片的连续写入速度是SATA硬盘（540MB / s）的两倍以上 ， 是 UHS-I microSD 卡（90MB / s）的十倍以上 ， 其处理速度比市面上常见的UFS 3.0快60% ， 拥有2100MB/s的顺序读取速度以及100000 IOPS（每秒输入/输出操作）和70000 IOPS的随机读取速度和写入速度 。
【【速度】三星量产512GB UFS 3.1手机闪存：写入速度3倍于UFS 3.0】此外 ， 三星的eUFS 3.1系列还将提供256GB和128GB容量 ， 目前三星位于平泽工厂的P1生产线已开始生产第六代V-NAND 。 同时 ， 位于中国西安的新X2生产线已开始生产第五代V-NAND 。
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