中科院斩获全球第一 ， 2nm芯片成功“破冰” ， 国产芯未来可期 01-12 21:50百家榜创作者 ， 优质原创作者 近年来 ， 我国在高新技术研发方面不断获得新突破 ， 原本的薄弱领域更是逐步建立起技术壁垒 ， 在全球市场中站稳脚跟 ， 例如国产芯片 。 提及国产芯片 ， 想必大多数消费者都会第一时间联想到华为海思 ， 但除了民营科技巨头在研发国产芯之外 ， “国家队”早已走上自研之路 。
12月10日 ， 中科院传来好消息 ， 中国科学家研发除了新型垂直纳米环栅晶体管 ， 这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺的主要技术候选 。 这意味着此项技术成熟后 ， 国产2nm芯片有望成功“破冰” ， 意义重大 。
众所周知 ， 目前市面上最先进的工艺为7nm以及第二代7nm ， 中国芯片代工巨头台积电的5nm有望2020年实现量产 。 此外 ， 台积电还曾宣布其3nm工艺正在研发过程中 ， 而2nm工艺预计2024年才会投产 。 而这些芯片工艺的升级其实就是晶体管密度的不断增强以及晶体管技术的更新换代 。
据了解 ， 从英特尔首发22nm FinFET工艺至今 ， 这种FinFET鳍式晶体管就被沿用至今 ， 未来的5nm以及4nm都将继续使用此类晶体管 。 而在2018年 ， 三星曾率先发布3nm工艺需要采用的GAA环绕栅极晶体管 ， 此类技术相比原有的FinFET鳍式晶体管 ， 可在多方面增强芯片性能、降低功耗和核心面积 。
而在三星之后 ， 中科院研发出了2nm及以下工艺所需要的新型晶体管——叠层垂直纳米环栅晶体管 。 据悉 ， 早在2016年官方就开始针对此类技术开展相关研究 ， 历经重重困难 ， 中科院斩获全球第一 ， 研发出世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管 。
值得注意的是 ， 这一叠层垂直纳米环栅晶体管还获得多项中、美发明专利授权 ， 更在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》成功发表 。 总而言之 ， 即便目前有些技术依旧被西方国家垄断甚至被恶意阻挠其正常发展 ， 但国产芯片依旧迸发出了不容忽视的力量 。
叠层垂直纳米环栅晶体管的诞生就是最有力的证明 ， 同时也是中国特色社会主义制度优越性的展现 。 集中力量办大事 ， 即便面临西方国家的技术封锁和恶意阻挠 ， 笔者相信在多方的努力下国产芯片未来可期 。 对此 ， 你怎么看呢？ 文/谛什么林
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